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公开(公告)号：CN102820780A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210154791.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Zeta变换器包括由输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、电感L1、电容C、二极管D、二极管D1、电感L2和电容Co组成的Zeta变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102723866A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210154809.0
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Cuk变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、二极管D、电感L2、二极管D1和电容Co组成的Cuk变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的另一端以及电容C的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102820780B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210154791.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Zeta变换器包括由输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、电感L1、电容C、二极管D、二极管D1、电感L2和电容Co组成的Zeta变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102684487A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210157708.9
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的另一端以及电容C的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102723866B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210154809.0
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Cuk变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、二极管D、电感L2、二极管D1和电容Co组成的Cuk变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的另一端以及电容C的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102684487B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210157708.9
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的另一端以及电容C的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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