公开(公告)号：CN105932129A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610260335.6

申请日：2016-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张紫辉 ,  张勇辉 ,  毕文刚 ,  徐庶 ,  耿翀

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明一种LED的芯片结构及其制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、N型半导体材料、多量子阱层、P‑型半导体材料、绝缘层、电流扩展层、P型欧姆电极和N型欧姆电极，其中绝缘层所用材质为无掺杂的AlN、Al2O3、SiO2、Si3N4、金刚石、LiF或PMMA，厚度为0.5～20nm；通过插入绝缘层，减少P‑型半导体材料与金属接触处的耗尽区长度，提高空穴浓度，增加空穴遂穿概率，减小P‑型半导体材料/P‑电极的接触电阻，提高内量子效率和电光转化效率，克服了现有技术存在LED器件中P‑型半导体材料掺杂效率不高，空穴注入效率低的缺陷。

公开(公告)号：CN105304775A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510783423.X

申请日：2015-11-16

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张勇辉 ,  毕文刚 ,  张紫辉 ,  徐庶 ,  耿翀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/005

Abstract: 本发明具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法，涉及半导体器件,步骤是：在图形衬底表面沉积低折射率材料层；在低折射率材料层上沉积金属镍薄膜；快速高温热退火，形成金属镍纳米阵列；干法刻蚀低折射率材料层；湿法去除镍。本发明方法在已有的图形衬底上通过微纳加工的方法使图形衬底上覆盖一层微纳结构化的低折射率材料薄膜层，通过避免光刻对准工艺，克服了现有技术对设备要求非常高和光刻难于精确对准的缺陷。