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公开(公告)号：CN103361629A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310299023.2
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。3）采用ECR-PEMOCVD（电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，将基片加热至200～600℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气。
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公开(公告)号：CN103352208A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310299025.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C23C16/511 , C23C16/34 , C23C16/27
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN103352203A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310299012.4
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/27
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，尤其涉及一种ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明提供一种可制备电学性能良好的InN光电薄膜且成本低的ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将Si基片依次用丙酮、乙醇以及去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）用热丝CVD系统，将反应室抽真空，将Si基片加热，向反应室内通入氢气和甲烷气体，在Si衬底基片上得到金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN103334089A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310298983.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 沈阳工程学院
Inventor： 张东 , 张铁岩 , 鞠振河 , 王晓文 , 曹福毅 , 张晓慧 , 张宏丽 , 孙勇 , 李昱材 , 杜士鹏 , 赵琰 , 王宝石 , 衣云龙 , 金月新 , 张相明 , 王健 , 刘莉莹 , 王刚 , 郭瑞 , 王帅杰
Abstract: 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。
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公开(公告)号：CN118300093B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410466916.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明涉及配电管理技术领域，更具体涉及一种新能源消纳用柔性负荷协同配电管理系统。该系统包括：发电装置，用于通过新能源进行发电，并给耗电负载进行供电，还将剩余的电力保存至储电装置；检测单元，用于检测并基于发电装置或储电装置输出的第一功率或第二功率获取阻断开关的工作状态，还用于实时检测耗电负载的耗电变化量和发电装置的发电变化量；预测单元，用于获取耗电负载在第一预设时间段内的第一耗电量预测值和发电装置的发电量预测值，还用于获取耗电负载在第二预设时间段内的第二耗电量预测值。本发明解决了新能源配电网稳定性差及供需不平衡的问题，提高了新能源配电网的稳定性，实现了电量的供需平衡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113794276B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110915399.6
申请日：2021-08-11
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国网辽宁省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国科学院沈阳自动化研究所 , 东北大学 , 沈阳工程学院
Inventor： 李桐 , 刘扬 , 赵海 , 刘一涛 , 刘劲松 , 王刚 , 宋进良 , 周振柳 , 王亮 , 黄博南 , 刘鑫蕊 , 赵剑明 , 宋纯贺 , 陈春雨 , 徐剑 , 王强 , 李泓言 , 胡博 , 周小明 , 雷振江 , 张宏宇 , 吕旭明 , 王磊 , 杨超 , 任帅 , 耿洪碧 , 佟昊松 , 于同伟 , 董之微 , 范维 , 孙赫阳 , 姜力行
IPC: H02J13/00
Abstract: 本发明属于配网终端安全行为监测系统技术领域，尤其涉及一种基于人工智能的配电网终端安全行为监测系统及方法。本发明系统包括系统安装配置模块、配网设备资产底账模块、配网设备统一管理模块、配网设备运行状态监控模块、配网设备网络行为分析模块和终端画像模块。本发明具有端到端的纵深防御体系、海量终端的一体化管控、以业务视角审视网络流量、以智能手段分析网络行为、未知新型攻击的优秀洞察能力、以灵活的架构支撑快速部署等特点。从而帮助电力企业解决配网终端设备安全的问题，显著的降低配网安全风险。
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公开(公告)号：CN119124250A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311481304.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司抚顺供电公司 , 沈阳工程学院
Abstract: 本发明公开了一种电缆中间接头状态监测感知单元的防护装置，其包覆在电缆接头的外侧面，防护装置包括防护壳、监测模组、监控后台、分析模块和显示操作终端；电缆接头位于防护壳的腔室内，监测模组安装在防护壳的腔室下底面处，其通过传感模块实时监控防护壳内的积水、温度和烟雾数据，监测模组中的处理模块接收传感模块所采集到的数据进行处理，并将处理后的数据传输至监控后台，分析模块对监控后台中的数据进行分析，对电缆接头的状态做出判定，并将电缆接头状态传输至显示操作终端呈现。本发明装置十分方便操作人员及时了解电缆接头在防护壳内的状态，从而解决了查看地下电缆进内的电缆中间接头困难的技术问题。
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公开(公告)号：CN118300093A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410466916.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 沈阳工程学院
Abstract: 本发明涉及配电管理技术领域，更具体涉及一种新能源消纳用柔性负荷协同配电管理系统。该系统包括：发电装置，用于通过新能源进行发电，并给耗电负载进行供电，还将剩余的电力保存至储电装置；检测单元，用于检测并基于发电装置或储电装置输出的第一功率或第二功率获取阻断开关的工作状态，还用于实时检测耗电负载的耗电变化量和发电装置的发电变化量；预测单元，用于获取耗电负载在第一预设时间段内的第一耗电量预测值和发电装置的发电量预测值，还用于获取耗电负载在第二预设时间段内的第二耗电量预测值。本发明解决了新能源配电网稳定性差及供需不平衡的问题，提高了新能源配电网的稳定性，实现了电量的供需平衡。
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公开(公告)号：CN111193292B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911389259.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 沈阳工程学院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明属于电网运行安全技术领域，更具体地涉及一种分布式电源选址定容方法。本发明包括以下步骤：输入系统参数；初始化优化算法参数；随机产生表示分布式电源安装位置和容量的粒子，并且初始化每个粒子的初始速度；形成基础导纳、采用快速潮流法成潮流计算；完成谐波潮流计算；完成保护配合计算；计算每个粒子的适应度,更新全局最优粒子和个体最优粒子；判断是否满足迭代次数要求；根据全局最优粒子确定分布式电源的安装位置和容量。本发明可以有效优化分布式电源接入后系统的电能质量，减少分布式电源对原有配电网保护配置的消极影响，优化分布式电源接入容量。
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公开(公告)号：CN108417618B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201810134370.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 沈阳工程学院
IPC: H01L29/267 , H01L29/40 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于本发明可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别涉及一种Si衬底异质结构器件及其制备方法，在Si衬底上依次沉积AZO透明导电电极、掺硼金刚石薄膜、AZO透明导电电极、VO2薄膜、P型CuO薄膜、VO2薄膜、AZO透明导电电极以及TiN抗腐蚀保护涂层。本发明采用金刚石材料薄膜材料作为P型层，金刚石是自然界散热速度最快的材料，n‑VO2/p‑CuO异质结构结合金刚石材料作为n‑VO2/p‑diamond双异质结构，可以制备出高功率的器件。
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