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公开(公告)号：CN1956235A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610143645.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H03B15/00 , H01F10/32 , G01R33/09 , G11B5/39 , G01D5/16 , H04B5/00 , B60R11/00 , G01S7/00
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN1870140A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610092406.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3929 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应元件，包括：3层或以上的金属磁性层；所述3层或以上的金属磁性层间设置的连接层；以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极，所述3层或以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定，外部磁场为零时，中间的金属磁性层的磁化方向扭转，以便最底层的金属磁性层的磁化方向与最顶层的金属磁性层的磁化方向基本上正交。
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公开(公告)号：CN1741134A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510087903.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供磁阻效应元件，该磁阻效应元件具有实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；相对包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。
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公开(公告)号：CN1577495A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058625.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
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