-
公开(公告)号：CN1523575A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件、磁头和磁存储装置，其中，所述磁阻效应元件；其特征在于，具备强磁性膜和以一般式：RXMn100－X，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者一般式：(RX’Mn1－X’)100－YFeY，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30所表示的反强磁性膜，上述反强磁性膜具有进行面内取向，而且与上述强磁性膜进行交换结合而构成的交换结合膜；和用以将电流对上述交换结合膜通电的电极。
-
公开(公告)号：CN1083597C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁致电阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的自旋阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和铁磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和铁磁性体层之间的界面上设有平均厚度在0.3nm-2nm的原子扩散势垒层。
-
公开(公告)号：CN114550754B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110947763.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/39
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN114720920B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110966326.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式，磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括：第1磁性部件；第1对置磁性部件，从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向；以及第1磁元件，其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
-
公开(公告)号：CN113763994B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110210749.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113409829B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
-
公开(公告)号：CN113393868B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
-
公开(公告)号：CN112786074B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010952619.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
-
公开(公告)号：CN114594415A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110974059.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式，磁传感器具备第1～第4磁元件、第1～第4导电部件及第1～第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
-
公开(公告)号：CN112466341B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
90
records
(took 0.035 seconds)
