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公开(公告)号：CN106449592A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610708670.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L21/768 , H01L24/81 , H01L2224/81024
Abstract: 本发明公开一种高品质因数的差分电感器结构及其制作工艺。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧，且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。利用圆环内的硅通孔阵列构造三维差分电感器，差分电感内部的耦合(金属层和重新布局层中的金属线中的电流流向两两异向)和较小的有效面积将提高电感值。
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公开(公告)号：CN113128159B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110427648.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/23
Abstract: 本发明公开了用于半导体连续性方程的混合流线迎风有限体积有限元方法、模型数值离散系统。本发明混合流线迎风有限体积有限元方法：几何模型的空间离散化；构造控制体积单元的；利用边缘电流密度和矢量基插值来计算出网格内部电流密度；构造单元矩阵方程的；构造系统矩阵方程的。本发明能够较好地应用于半导体器件中漂移扩散模型中电流连续性方程的离散化，对于半导体器件地模拟仿真发展有着推动作用，并且在固体电子领域的数值建模中，相较于流线迎风Petrov Galerkin方法，解决了多维问题求解中边缘计算精度差问题，收敛性更好；相较于FBSG方法，对空间网格质量要求更加宽松，收敛性更好；相较于传统控制体积有限元方法，
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公开(公告)号：CN114235848A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111575826.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于串联LC谐振的高灵敏度微波微流控差分传感器，具有三层结构，所述顶层为对称设计，包括两条微带线、两个50欧姆的电阻元件、两个SMA连接头及两个接地平面，所述微带线有一个缺口处，缺口处设计为交指结构，所述微带线的一个输入端口，所述输入端口与所述微带线连接，且所述输入端口用于连接所述SMA连接头，所述SMA连接头与矢量网络分析仪相连通，微带线的另一个端口由50欧姆电阻元件焊接微带线与接地平面；所述中间层和底层是介质板；在交指结构缝隙即电场场强最大区域上面放置一个PDMS，内部挖有微流控通道。该传感器灵敏度高、测量范围宽，检测误差小，检测结果准确。
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公开(公告)号：CN113251961A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110455636.5
申请日：2021-04-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合微带线的微波位移传感器，其包括定子和动子；定子包括三层：顶层由四条长方形的耦合微带线组成；中间层为介质板；底层为金属薄片，底层设于中间层的下表面；四条耦合微带线分为两组，两组耦合微带线并排平行且对称布设于中间层的上表面，同一组耦合微带线中的两条微带线之间存在间隙，两组耦合微带线之间保持间距；动子能沿定子的长度方向移动，动子包括两层：上层为介质板，下层为方形金属补丁，下层设于上层的下表面，下层方形金属补丁的两端分别电接触两组耦合微带线处于内侧的两条耦合微带线。采用本发明技术方案，其使得测量待测物体偏移原来位置的位移量的结果更加精确。
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公开(公告)号：CN110133375B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910389156.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；本发明采用了差分结构的形式，对介电常数和磁导率可做差分测量，采用相对测量的方式排除了环境因素的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110191572B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910469187.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明公开一种实现超宽带抑制同步开关噪声的电磁带隙结构。电磁带隙结构是在电源平面每边刻蚀有一矩形缺口，该缺口的底部中点引出一条微带线；所述微带线沿逆时针方向围绕电源平面至其下一条边的末端，且该条微带线位于“下一条边”部分将此边矩形缺口引出的微带线位于该边部分包围；同时该条微带线与相邻结构单元微带线相连构成S型；电源平面的中心区域镂空，内嵌一个方形平面板；方形平面板的四边的中心分别刻蚀一长方形缺口，该长方形缺口的底部中点引出一条微带线与电源平面相连。本发明更好地降低噪声抑制的下截止频率，且有效增大噪声抑制的带宽范围，从而实现对电源平面与地平面之间的同步开关噪声的超宽带抑制。
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公开(公告)号：CN111244066A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910734502.X
申请日：2019-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开便于工艺生产且节省芯片面积的差分硅通孔结构及其工艺。包括硅衬底、介质层、半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管、金属焊盘；所述的硅衬底开有两个通孔，通孔由半导体性碳纳米管层，以及分别设置在半导体性碳纳米管层两侧的金属性碳纳米管层构成，且半导体性碳纳米管层完全阻隔两金属性碳纳米管层；硅通孔外周设置有介质层；金属性碳纳米管层的上下两端设有金属焊盘。本发明可以减少三维集成电路差分传输结构中的硅通孔数量，显著缩小了差分传输结构的尺寸并且减少了其占用面积，有效提高了芯片面积的利用率；用碳纳米管束作为传输通道填充材料，具有优越的力学性能、电学性能和热学性能。
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公开(公告)号：CN111077170A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911364213.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于电磁带隙结构的高灵敏度微波微流体传感器。本发明从上到下依次包括共面波导传输线、介质层、电磁带隙结构,其中电磁带隙结构为周期性结构，各单元结构之间通过微带线连接。所述微流体通道置于电磁带隙结构的下侧，并采用分支路的方式，分别覆盖电磁带隙单元结构左右两侧的缝隙，各分支路分别汇聚于上下两端口，液体样品在其中一个端口用针孔注入，再从另一端口流出。本发明结构采用电磁带隙结构为基础，其微流通道被设计为多个分流支路，明显增加了围绕电场的路径，改善了目前微流体传感器灵敏度较低且质量因子Q值较低的情况，提高了灵敏度，同时具有较高的Q值，保证了测量的高分辨率和精确度。
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公开(公告)号：CN110806416A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911044408.8
申请日：2019-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开同时测量湿度、温度和材料复介电常数多功能传感器。本发明由金属补丁、微带线、介质板Kapton100HN、金属薄片、金属通孔构成EMSIW；微带线与CSRR槽环耦合。槽环开口相对的直角对齐向环内弯折，该区域电场强度最强，用来测量材料的复介电常数；向内弯折的两直角间由多个“凵”结构以及用于连接相邻两“凵”结构的连接板构成；槽环的开口分别向环内外延伸；槽环CSRR非折线区焊接热敏电阻。因此该传感器具备同时测量环境的温度、湿度和材料复介电常数的功能，不仅具有高灵敏度和高精度的优良性能，而且其结构简单、结构小型化、测量范围广、实用性很强。
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公开(公告)号：CN110133375A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910389156.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开用于同步测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器。由顶层至底层包括两个微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属CSRR结构；刻槽金属CSRR结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；本发明采用了差分结构的形式，对介电常数和磁导率可做差分测量，采用相对测量的方式排除了环境因素的影响。
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