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公开(公告)号：CN113174583A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN111689519A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010412364.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种采用前驱体热分解制备二维过渡金属硫族化合物的方法，将不同浓度的前驱体溶液旋涂在基底表面，通过前驱体热分解反应生成二维过渡金属硫族化合物沉积在基底表面，最终生成二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明使用乙二醇作为溶剂，危害性较小；可以通过控制前驱体溶液的浓度来控制二维过渡金属硫族化合物的层数；只需要一种前驱体，在生长过程中，不需要H2来促进薄膜材料的大面积连续性生长，不需要额外高温硫化，只在惰性气体环境下，经过两步热退火，就可以得到大面积、连续、高质量的薄膜材料；本发明有效避免了直接使用粉末作源而导致的源空间分布不均匀问题；本发明具有低成本、装置简易、易操作、可控性好等特点。
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公开(公告)号：CN110335819A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910557744.6
申请日：2019-06-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。
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