公开(公告)号：CN110424051A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910311630.3

申请日：2019-04-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 保坂祥辉 ,  藤川阳平

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。

公开(公告)号：CN110408996A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910293752.4

申请日：2019-04-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 藤川阳平

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明的目的是提供能够提高原料的使用效率的坩埚和SiC单晶生长装置。该坩埚具备盖和容器，所述容器具有与所述盖对向的底部，在所述底部具有朝向所述盖凹陷的凹部。