公开(公告)号：CN103180266B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180051162.2

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 相川贤一郎 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 静电卡盘(1A)包括具有吸附半导体的吸附面(11a)的基座(11A)与埋设到该基座内的静电卡盘电极(4)。基座(11A)包括板状主体部(3)与表面耐腐蚀层(2)，介电层构成所述表面耐腐蚀层(2)，介电层的上表面构成所述吸附面(11a)。表面耐腐蚀层(2)由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°。

公开(公告)号：CN103180267B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180051175.X

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤畅之 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种加热装置（11A），其包括具有加热半导体的加热面（12a）的基座（12A）。基座（12A）包括板状主体部（13）和表面耐腐蚀层（14），所述基座（12A）的上表面构成所述加热面。表面耐腐蚀层（14）由以镁、铝、氧以及氮为主成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

公开(公告)号：CN103857643A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280049986.0

申请日：2012-10-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范 ,  渡边笃

IPC: C04B35/04 ,  C04B35/58 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C04B35/053 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的陶瓷构件（30）包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体（32）和配置在部分陶瓷基体（32）上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极（34）。该陶瓷基体（32）也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。

公开(公告)号：CN103180266A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051162.2

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 相川贤一郎 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 静电卡盘（1A）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）与埋设到该基座内的静电卡盘电极（4）。基座（11A）包括板状主体部（3）与面对吸附面（11a）的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

公开(公告)号：CN102822115A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015793.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  胜田祐司 ,  早濑徹 ,  神藤明日美

IPC: C04B35/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669

Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度（1500℃）进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度（最高温度）下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2%的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。

公开(公告)号：CN114901875A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080089055.8

申请日：2020-01-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。

公开(公告)号：CN114269972A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201980098054.7

申请日：2019-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。

公开(公告)号：CN113614292A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201980081621.8

申请日：2019-04-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少、且呈现高介电击穿电场特性的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，杂质浓度和/或异相量在半导体膜的表面和背面不同。

公开(公告)号：CN113574215A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201980081631.1

申请日：2019-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层。取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成。取向层包含：含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体。

公开(公告)号：CN113574214A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201980081291.2

申请日：2019-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板是具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层的基底基板，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，取向层包含：选自由α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的材料、或者含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体，刚玉型结晶结构的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec.以下。