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公开(公告)号：CN108258084A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810076695.X
申请日：2018-01-26
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜太阳能电池及其制作方法，通过将衬底基板减薄以降低柔性薄膜太阳能电池的重量和占用体积，且能够使柔性薄膜太阳能电池具有更高效的功率质量比，进而减小空间飞行器太阳能电池板的重量和体积；同时，通过化学减薄溶液对衬底基板进行减薄能够保证外延片的机械强度高、且厚度均匀；此外，在对衬底基板进行减薄后通过抛光溶液进行抛光处理，能够进一步提高外延片的机械强度。
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公开(公告)号：CN117766599A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410006073.5
申请日：2024-01-03
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种多结太阳能电池及其制备方法，该多结太阳能电池最远离衬底的第N子电池的窗口层为电流扩展层，该电流扩展层包括在第一方向上依次叠层设置的第一子电流扩展层和第二子电流扩展层；第一子电流扩展层的掺杂浓度高，可以形成高的少子势垒，改善少子复合，第二子电流扩展层的掺杂浓度低，可以减小高掺杂导致的吸光效应；第二子电流扩展层的厚度较厚，可以减小电阻，第一子电流扩展层的厚度较薄，可以减小高掺杂导致的吸光效应；基于设置的两层子电流扩展层，可以减小电阻，使得多结太阳能电池获得高光电转换效率，无需改变发射区的厚度，允许发射区厚度设计较薄，以获得足够的少子扩散长度和高电流，进一步提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117394143A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311611286.2
申请日：2023-11-28
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供了一种多结垂直腔面发射激光器，该多结垂直腔面发射激光器中，在第一方向上，第一组所述多量子阱层至第M组所述多量子阱层的增益峰值波长逐渐增加或逐渐减小，设置不同组多量子阱层的增益峰值波长不同，可以保证在不同的温度下，至少有一组多量子阱层在合适的增益峰值波长内，解决了高低温变化时导致的增益峰值波长漂移，进而出现的光电效率不一致的问题，也就是说，在不同温度下多结垂直腔面发射激光器的电光效率可以保持一致和稳定，增加了多结垂直腔面发射激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN116207612A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310328904.6
申请日：2023-03-30
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
摘要： 本发明提供一种VCSEL外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中VCSEL外延结构包括：层叠在衬底上的N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层，谐振腔层包括有源区，P型DBR反射层包括第一DBR堆叠结构及第一AlGaAs过渡层，第一DBR堆叠结构包括交替层叠设置的AlxGaAs层和AlyGaAs层，第一AlGaAs过渡层设置于AlxGaAs层和AlyGaAs层之间，P型DBR反射层的掺杂浓度沿第一方向依次递增，且第一AlGaAs过渡层的厚度随P型DBR反射层的掺杂浓度增大呈减小趋势，这样设置既减少了串联电阻，又提高了绝对反射率。
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公开(公告)号：CN115642188A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211095851.X
申请日：2022-09-08
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/054 , H01L31/107 , H01L31/0687 , H01L33/10
摘要： 本发明提供了一种布拉格反射镜及半导体器件，采用折射率差异较大的InP层和AlInGaAs层作为重复单元层中的两个反射层，能够保证布拉格反射镜的反射效果高。并且，在InP层和AlInGaAs层之间插入过渡层，能够避免出现InP层中P原子和AlInGaAs层中As原子相互扩散，而在InP层和AlInGaAs层的界面处形成中间组分化合物的情况，提高了布拉格反射镜的制备质量和反射效果，提高了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN113066887B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110297175.3
申请日：2021-03-19
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
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公开(公告)号：CN115332379A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211062109.9
申请日：2022-08-31
申请人： 扬州乾照光电有限公司
发明人： 吴真龙
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/06
摘要： 本发明提供了一种具有多量子阱结构的多结太阳能电池包括：该多结太阳能电池中的多量子阱结构由依次堆叠设置的多组第一堆叠膜层组成，其中第一堆叠膜层包括InGaAs势阱层、第一AlInGaAs过渡层、GaAsP势垒层和第二AlInGaAs过渡层，第一AlInGaAs过渡层和第二AlInGaAs过渡层的厚度和/或组分不同。本发明中的两种AlInGaAs过渡层可以为势阱层和势垒层之间的界面存在的能带带阶做缓冲过渡；另外两种AlInGaAs过渡层的厚度和/或组分不同，可以进一步影响势阱层和势垒层之间界面的能带，更好的处理不同界面原子扩散存在差异的问题，从而提升具有多量子阱结构的多结太阳能电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN110707172B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201911002532.8
申请日：2019-10-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/0687 , H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种具有布拉格反射层的多结太阳电池及制作方法，通过设置在第一方向上由交叠设置的低折射率层和高折射率层构成的布拉格反射层，并且所述第二子电池的晶格参数大于等于所述高折射率层的晶格参数；且所述第二子电池的晶格参数小于所述低折射率层的晶格参数，低折射率层和高折射率层形成应力平衡，可以更好的释放残余应力，并且，由于低折射率层和高折射率层具有不同的纳米硬度，形成类似超晶格结构，相比不同晶格常数的同种材质构成的超晶格结构，可以利用其纳米硬度的交替变化可以更有效阻断位错的延伸，进而极大程度的改善了太阳电池的电学性能。
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公开(公告)号：CN111009584B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911269812.5
申请日：2019-12-11
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法，其中该多结太阳能电池包括：衬底、位于衬底上方的第一子电池、第二子电池和第三子电池；位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结、变质缓冲层和分布式布拉格反射层；位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结；位于第三子电池上方的欧姆接触层；组分层的晶格常数在沿第一子电池指向第二子电池的方向上增加等于第一子电池的第一晶格常数。本申请通过组分层在与第一隧穿结连接处的第三晶格常数大于第一子电池的第一晶格常数，还可以有效减少缓冲层外延厚度，减少外延生长时间。
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公开(公告)号：CN110718599B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911001740.6
申请日：2019-10-21
申请人： 扬州乾照光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种具有变质缓冲层的多结太阳能电池及制作方法，通过将组分阶变层中各层厚度，在设定方向上依次减小，进而减小了组分阶变层中随着纳米硬度减小和外延厚度增加后位错释放的几率，减少位错延伸至电池有源区影响性能的几率。或者，设置组分阶变层中各层之间的失配度依次减小，进一步可以减小组分阶变层中随着纳米硬度减小和外延厚度增加后位错释放的几率，减少位错延伸至电池有源区影响性能的几率。也就是说，本申请多结太阳能电池使得位错密度在整个变质缓冲层分布更加均匀，可减少位错之间的相互作用而减少这种相互作用导致产生的线位错缺陷TDD。
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