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公开(公告)号：CN111849377B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010317354.4
申请日：2020-04-21
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 佐伯尚哉
IPC: C09J7/30 , C09J7/24 , H01L21/683
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公开(公告)号：CN111180380B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202010008742.4
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , B32B27/00 , B23K26/57 , B23K26/53 , B23K26/18 , C08J7/04 , C08L67/02
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN111542912B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880084834.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处切取试验片，并分别求出这5片试验片的粘着剂层的基材侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差、及保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差时，所述粘着剂层的基材侧的面的最大高低差的平均值为1～7μm，且所述保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面的最大高低差的平均值为2μm以下。
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公开(公告)号：CN111164738B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880063343.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J133/04
Abstract: 本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述工件加工用片中，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的水接触角为50°以上80°以下，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
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公开(公告)号：CN114599517A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074351.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/32 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/08 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B27/18 , B32B27/22 , B32B27/36 , B32B27/28 , B32B27/40 , B32B25/00 , B32B25/08 , C08J7/04 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D502，满足下述条件：D501
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107001876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201680003816.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B27/26 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。
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公开(公告)号：CN111613564A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010288922.2
申请日：2014-01-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/66 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。
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公开(公告)号：CN111587472A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086327.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并分别求出这5片试验片中的粘着剂层的厚度的最小值及最大值时，所述最小值的平均值为1.5μm以上，所述最大值的平均值为9μm以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN111542912A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880084834.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处切取试验片，并分别求出这5片试验片的粘着剂层的基材侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差、及保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差时，所述粘着剂层的基材侧的面的最大高低差的平均值为1～7μm，且所述保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面的最大高低差的平均值为2μm以下。
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