基于栅极信号的IGBT内部参数确定方法及装置

    公开(公告)号:CN118534279A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410610604.1

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明提供了一种基于栅极信号的IGBT内部参数确定方法及装置,所述方法包括:根据预先建立的IGBT寄生参数模型及电容电压,得到栅极电流表达式与米勒电容表达式;将所述栅极电流表达式与所述米勒电容表达式代入所述IGBT寄生参数模型中,得到寄生参数表达式;任意选取三个IGBT关断延迟过程中的时刻,利用预设的栅极电压波形、栅极电流波形及所述寄生参数表达式,得到栅极寄生电感表达式、栅极电阻表达式及栅射极电容表达式。本发明通过确定IGBT内部参数对应的表达式,通过观测IGBT器件栅极电压、栅极电流来估计米勒电容、栅极寄生电感、栅极电阻和栅射极电容,实现高效准确的监测IGBT内部参数。

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