一种IGBT开通瞬态集射极电压的确定方法及装置

    公开(公告)号:CN117233563A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202310994832.9

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 本说明书提出一种IGBT开通瞬态集射极电压的确定方法及装置。该方法包括:构建目标电路;所述目标电路包括绝缘栅双极型晶体管、续流二极管;续流二极管包括续流二极管芯片;确定绝缘栅双极型晶体管的中间参数;并根据中间参数、绝缘栅双极型晶体管的栅极电压、绝缘栅双极型晶体管的栅极电压阈值,确定绝缘栅双极型晶体管的集电极电流;根据绝缘栅双极型晶体管的集电极电流,确定续流二极管芯片的集射极电压;根据绝缘栅双极型晶体管的栅极电压、续流二极管芯片的集射极电压,确定绝缘栅双极型晶体管的集射极电压。基于上述方法能够根据绝缘栅双极型晶体管的栅极电压快速计算出集射极电压,能够避免直接测量集射极电压导致的操作不便的问题。

    一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置

    公开(公告)号:CN119001384A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411119938.5

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本申请提供了一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置,该方法包括:获取实际工况中测量的多个螺线管线圈的实际感应电压;所述多个螺线管线圈分别设置在第一压接型半导体器件的侧面上,且与驱动控制端口位于不同区域;所述实际感应电压是当电流从所述第一压接型半导体器件的顶面流向底面时生成的;根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压之间的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态。本申请提供的压接型半导体器件的老化检测方法及装置实现了分析器件内部电流分布情况以评估器件的老化状态,确保半导体器件的可靠性和稳定性,提高老化检测的效率。

    IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置

    公开(公告)号:CN118566676A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410610609.4

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明提供了一种IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置,方法包括:根据预先建立的IGBT寄生电容模型,利用栅射电容电流、栅集电容电流及栅集电容电压,确定栅极电流表达式,并利用所述栅集电容电压,确定栅集电容表达式;根据所述栅极电流表达式及所述栅集电容表达式,得到集射极电压与栅极电压、栅集电容电压的关系式,并求解所述关系式,确定集射极电压随时间变化表达式。本发明通过确定集射极电压随时间变化表达式,实现利用观测IGBT器件栅极电压、栅极电流来估计集射极电压,实现准确高效地监测IGBT关断延迟过程集射极电压,为IGBT关断过程监测及分析提供依据。

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