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公开(公告)号：CN107579233A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710814073.8
申请日：2017-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052 , B82Y30/00
Abstract: 一种金属掺杂氧化硅分子筛/硫碳复合物及其制备方法和应用，它涉及一种纳米复合材料及其制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有以多孔碳材料和多孔氧化物材料作为基础载体材料制备硫正极材料存在不能有效限制多硫化物的溶出，导致电池容量迅速降低及多孔金属氧化物制备困难耗能大的问题。一种金属掺杂氧化硅分子筛/硫碳复合物，它由嵌硫金属掺杂氧化硅分子筛的水分散液和碳材料的水分散液制备而成。制备方法：一、制备金属掺杂氧化硅分子筛；二、制备嵌硫金属掺杂氧化硅分子筛；三、浸渍碳材料，得到金属掺杂氧化硅分子筛/硫碳复合物。金属掺杂氧化硅分子筛/硫碳复合物作为正极材料用于制备锂硫电池的正极。
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公开(公告)号：CN107017400A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710408312.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 碳酸锰/四氧化三锰/石墨烯三元复合材料的制备方法及其应用，本发明涉及一种锂离子电池负极材料的制备方法，它要解决现有锂离子电池负极用碳酸锰/石墨烯复合材料的制备周期长，电化学性能较低的问题。制备方法：一、将石墨放入H2SO4溶液中，再加入KMnO4，温度升高到85～98℃后加入去离子水和H2O2，得到Mn/氧化石墨溶液；二、超声处理；三、加入碳酸钠溶液，调节体系的pH至9～11；四、水浴加热，过滤收集沉淀，清洗、干燥后得到碳酸锰/四氧化三锰/石墨烯三元复合材料。发明将制备氧化石墨所用到的高锰酸钾中的锰作为后续复合材料的锰源，提高原料利用率，缩短制备时间，作为锂离子电池负极材料增强了循环性能和比容量。
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公开(公告)号：CN105565319A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511014830.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P20/124 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/80
Abstract: 本发明公开了一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到空气烧结炉或可以直接在空气中加热的装置中，直接在空气气氛中加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为5～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN104495850A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410834823.4
申请日：2014-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 威海云山科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SiC/石墨烯核壳结构纳米材料的制备方法，包括以下步骤：Al、将SiC(粉体、纤维或纳米线等)置于加热炉中加热至400～650℃进行除碳处理，然后将加热后的SiC材料浸泡到HF溶液中20～26小时，得到预处理后的SiC；A2、使用去离子水反复冲洗预处理后的SiC，过滤后放入干燥箱里干燥，得到实验所需的SiC；A3、准备实验所需的金属粉或其化合物；A4、在石墨纸上扎孔，得到扎孔后的石墨纸，依次在石墨坩埚的底部铺放金属粉或其化合物、扎孔后的石墨纸、SiC和石墨纸，盖上坩埚盖，然后将石墨坩埚放入到气氛压力烧结炉中，在1200℃～1500℃的温度下保温1～4小时，得到SiC/石墨烯核壳结构纳米材料。
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公开(公告)号：CN101838886B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010204481.X
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D04H1/4209 , D01F9/10
Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法，它涉及氮化硅纳米材料的制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度为0.5～20mm，其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1～60mm。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体放置于坩埚底部，盖上坩埚盖，并置于气氛烧结炉，在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题，有优良的均匀性，纯度高，物理化学稳定性高，有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101550012B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910072021.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/515
Abstract: SiOCN陶瓷的制备方法，它属于陶瓷制备领域。本发明解决了现有SiOCN材料的制备方法存在的成分不易控、制备工艺复杂及成本高问题。本发明方法：一、含硅氢键的化合物与烯丙胺混合，再加入铂催化剂混合均匀得到混合物；二、制备SiOCN先驱体；三、经过裂解即制备得到SiOCN陶瓷。本发明的制备方法成本低，制备得到的SiOCN陶瓷高温性能好，可在1400℃以上的条件下使用，应用范围广。
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公开(公告)号：CN101224876B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101319399B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810064810.8
申请日：2008-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种伴有串状结构的碳化硅纳米线的制备方法，本发明涉及一种准一维纳米结构的制备方法。伴有串状结构的碳化硅纳米线：立方相碳化硅的单晶体。方法：将非晶态的碳/二氧化硅纳米复合粉体放入坩埚内并置于气氛烧结炉中，抽真空后向炉内充入氩气使初始气压达0.1～2.0MPa，然后以5～30℃/min的升温速度加热至1500～1800℃保温0.5～6小时，随炉冷却到室温，即得到伴有串状结构的碳化硅纳米线，中心线或中心杆的直径分布在50～100纳米范围内，中心线或中心杆上串状结构的碳化硅纳米线的直径分布在100～500纳米范围内。本发明制备工艺简单、成本低、制备周期短，且能够实现对产物结构和形貌的控制。
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公开(公告)号：CN101928915A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010200513.9
申请日：2010-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 一维纳米材料表面镀氮化硼膜的方法，它涉及一种在纳米材料表面镀氮化硼膜的方法。本发明解决了由于一维纳米材料间的接触，导致一维纳米材料易被氧化、寿命短、稳定性差的问题。本方法如下：将氨硼烷加入到石墨坩埚或氧化铝坩埚中，将待包覆的一维纳米材料固定于坩埚内部，再将坩埚置于气压炉中，然后在700℃～1600℃的条件下保温0.5h～4h，然后冷却至室温，即得表面镀氮化硼膜的一维纳米材料。本发明在一维纳米材料表面镀上了厚度为3nm～50nm的氮化硼膜，防止一维纳米材料间互相接触，从而避免了一维纳米材料在使用的过程中被氧化、寿命短、稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN101845711A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010204482.4
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。
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