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公开(公告)号:CN105727855A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610132559.9
申请日:2016-03-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种具有阻尼提升效应的部分充满齐聚物粘流液体的空腔微胶囊及其制备方法,属于阻尼材料技术领域。本发明利用微胶囊技术制备部分充满齐聚物粘流液体的空腔微胶囊,根据不同的微胶囊结构要求,进一步可以在该微胶囊外部包覆金属层或聚合物?无机杂化层形成多层微胶囊结构,将具有单层或双层微胶囊壁结构的部分充满齐聚物粘流液体的空腔微胶囊作为微型阻尼器分散在聚合物涂料中以提升涂料自身的阻尼性能,其能够解决普通阻尼材料厚度过厚、阻尼层形状不灵活等缺点,可以一定程度上提升涂料自身的阻尼性能。
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公开(公告)号:CN104659211A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201510122100.6
申请日:2015-03-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/32
Abstract: 含蒽基可热固化绝缘层材料及其在制备有机薄膜晶体管绝缘层中的应用,属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种可热固化并能有效调控半导体层结晶态的聚合物绝缘层材料及其固化后在并五苯型有机薄膜晶体管绝缘层中的应用。本发明所述的可热固化聚合物绝缘层材料为三种单体的无规共聚物,具有良好的溶解性,易溶于常用的有机溶剂,实验表明本发明所述方法确实做到了通过改变绝缘层结构从而控制半导体层结晶的目的。
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公开(公告)号:CN104434541A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410778106.4
申请日:2014-12-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种片状填料的口腔用光固化复合树脂及其制备方法,属于口腔医学材料领域,该发明将传统的光固化复合树脂中的普通填料替换为经过化学处理的片状填料。鉴于片状填料的取向和片状填料的自身特性使得本发明所述光固化树脂基质在光固化时,大大减少其固化收缩率,并增加强度和硬度。片状填料的使用,使得水分子的渗透路径大大增长,极大的减少该复合树脂的吸水率,能显著降低修复树脂和牙体基质之间的开裂,能有效降低临床上最常见的导致修复失败的断裂和继发龋的发生。对减少患者痛苦,推进口腔修复材料的发展具有重要意义。
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公开(公告)号:CN103059190B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201310016391.1
申请日:2013-01-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C08F212/08 , C08F8/36 , C08F2/20 , B01J20/26 , C10G25/00
Abstract: 本发明属于溶胀吸附分离技术领域,具体涉及一种溶胀吸附烃类混合物中芳烃组分树脂球及其制备方法。该树脂球为无规共聚物,是以苯乙烯为主单体,采用交联剂对其进行适度交联,得到交联聚苯乙烯树脂球,再采用后磺化处理剂对交联聚苯乙烯树脂球进行改性得到;其中苯乙烯单体与交联剂的摩尔比为100:1~10:1,后磺化处理剂的用量为0.048~0.48摩尔砜基/100克交联聚苯乙烯树脂球,可溶胀吸附烃类混合物中芳烃组分树脂球的粒径在0.45~2mm的范围内。该树脂球原料易得,合成方便,可循环使用,采用梯度分离法,可高效分离烃类混合物中的芳烃组分,为高效分离芳烃和非芳烃提供了一条新的更简便的途径。
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公开(公告)号:CN103059190A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201310016391.1
申请日:2013-01-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C08F212/08 , C08F8/36 , C08F2/20 , B01J20/26 , C10G25/00
Abstract: 本发明属于溶胀吸附分离技术领域,具体涉及一种溶胀吸附烃类混合物中芳烃组分树脂球及其制备方法。该树脂球为无规共聚物,是以苯乙烯为主单体,采用交联剂对其进行适度交联,得到交联聚苯乙烯树脂球,再采用后磺化处理剂对交联聚苯乙烯树脂球进行改性得到;其中苯乙烯单体与交联剂的摩尔比为100:1~10:1,后磺化处理剂的用量为0.048~0.48摩尔砜基/100克交联聚苯乙烯树脂球,可溶胀吸附烃类混合物中芳烃组分树脂球的粒径在0.45~2mm的范围内。该树脂球原料易得,合成方便,可循环使用,采用梯度分离法,可高效分离烃类混合物中的芳烃组分,为高效分离芳烃和非芳烃提供了一条新的更简便的途径。
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公开(公告)号:CN102690619A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210194729.8
申请日:2012-06-13
Applicant: 吉林大学
IPC: C09J161/24 , C09J11/08 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08F220/56 , C08F220/06 , C08F220/58
Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,涉及一类以丙烯酸、丙烯酰胺与羟甲基丙烯酰胺类树脂为单体的高分子共聚物固化剂与无机盐、无机酸组成的复配型固化剂的制备方法,该复配型固化剂具有很好的储存稳定性,对脲醛树脂的固化时间更短,甲醛释放量更低。是将丙烯酸、丙烯酰胺、羟甲基丙烯酰胺单体加入到水中,通入N2保护,搅拌并逐步升温至60~70℃,然后加入引发剂K2S2O8,再加入链转移剂正丁硫醇或特丁硫醇,在65~75℃反应3~5小时,然后升温至75~85℃,反应1~3个小时,得到共聚物固化剂,再将之与无机盐、无机酸按照质量比4~10∶1~5∶0.1~0.5的比例混合,搅拌至混合物中没有团结物为止,得到复配型固化剂。
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公开(公告)号:CN101830471B
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201010137953.4
申请日:2010-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B33/12 , C01G23/047
Abstract: 本发明涉及一种高温处理纳米粒子时防止纳米粒子团聚的方法,可用于防止二氧化硅、二氧化钛等纳米粒子在高温处理过程中发生团聚,使得纳米粒子经过高温处理后仍然保持纳米分散状态。具体是以乙醇为分散溶剂,以活性炭或炭黑为物理吸附及物理隔离剂,纳米粒子分散在乙醇溶剂中,滴加到搅拌着的活性炭或炭黑乙醇悬浊液中,保持搅拌6~24小时,离心去除上层溶剂,将离心沉淀物首先在氮气保护下高温(700~1000℃)处理1~5小时后,降到室温,再在400~450℃通氧气或氮氧混合气处理,将活性炭或炭黑氧化去除,得到经过高温烧结的且未发生团聚的纳米粒子。优点在于过程简单,经济安全,能够满足大批量高温处理纳米粒子。
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公开(公告)号:CN101531921B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200910066787.0
申请日:2009-04-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于萃取分离技术领域,涉及一种萃取分离汽油或烃类混合物中芳烃所用的复合溶剂,芳烃组分在该复合溶剂中溶解度和选择性最高,其是利用原料中各组分在溶剂中的溶解度不同达到分离目的。复合溶剂包括主溶剂和助溶剂,主溶剂为一种经过改性的低分子量(800~3000)聚苯乙烯或苯乙烯与带有极性基团的烯烃类单体进行自由基共聚得到的低分子量聚合物(800~2000),助溶剂为要萃取的芳烃,也可以为其他芳烃,但是碳原子数要大于待萃取分离的芳烃。应用该复合溶剂进行芳烃的萃取分离,原料易得,合成条件温和,可以循环使用,节能降耗,为降低日益增大的汽油消耗带来的尾气污染,使尾气排放达到更高标准提供了一条切实有效的途径。
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公开(公告)号:CN102350321A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201110204328.1
申请日:2011-07-21
Applicant: 吉林大学
IPC: B01J20/26 , B01J20/28 , B01J20/30 , B01D15/08 , C08F212/08 , C08F220/18 , C08F212/10 , C08F220/38 , C08F222/24 , C08F2/20
Abstract: 本发明属于吸附分离技术领域,具体涉及一种可选择性吸附烃类混合物中芳烃组分的树脂球及其制备方法。所用材料为具有一定交联度的通过极性单体共聚改性的聚苯乙烯树脂球,利用其对芳烃和非芳烃溶胀吸附性能的差异,可以方便的吸附烃类混合物中的芳烃组分,达到分离芳烃组分的效果。该种树脂球为无规共聚物,其中苯乙烯为主单体,另外加入各种极性单体和不同的交联剂对其进行改性。该种树脂球原料易得,合成简单,可循环使用,而且操作简便,后处理方便,进而简化工艺流程,降低操作成本,减少能耗。应用该种树脂球,采用梯度分离法,为高效分离芳烃和非芳烃提供了一条新的更简便的途径。
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公开(公告)号:CN101775207B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN201010030843.8
申请日:2010-01-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种可作为有机薄膜晶体管绝缘层材料并可以直接光写入图案化的有机-无机杂化材料,该杂化材料在紫外波200~400nm范围内曝光后形成图案化的绝缘层。在该杂化材料中,有机部分为既含有光敏基团又含有硅氧烷结构的聚氨酯,无机部分为钛酸四丁酯与硅氧烷或锆酸四丁酯与硅氧烷的水解产物,无机部分的质量为有机部分质量的10%~70%。测试结果表明该杂化材料应用在晶体管绝缘层时具有场效应,晶体管的开关比为104,迁移率为0.08cm2Ns,基本接近非晶硅的水平。
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