公开(公告)号：CN113471340A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110570218.0

申请日：2021-05-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  王丽兰 ,  李金钗 ,  高娜 ,  江莹 ,  康俊勇 ,  张荣

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及光电半导体领域，特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro‑LED及其制备方法。所述micro‑LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米颗粒结构；金属纳米颗粒结构表面设有延伸至p型有源层表面的开口，以使p型有源层表面形成外露区域，外露区域表面设有p型欧姆接触电极，金属纳米颗粒结构的表面设有n型欧姆接触电极。本发明提供的micro‑LED能够有效提高器件的载流子复合速率和复合效率，且有效载流子寿命减小，使该器件的调制带宽大大增加，这将扩展该micro‑LED在光通信中的应用。

公开(公告)号：CN114242771A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111443699.5

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构，属于碳化硅功率半导体领域。提供结合碳化硅材料特性，通过顶部栅极挖孔，来实现透光，同时通过在JFET区域的底部进行高掺来实现同种掺杂的耗尽层，从而产生更多光生载流子的一种光增强碳化硅功率器件导通特性的结构。适用于双极型器件IGBT和单极型器件碳化硅MOSFET，由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区/N型掺杂衬底、N型掺杂场终止层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂JFET区、N型低掺杂JFET区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极/漏电极。可应用于600V以上高压领域，采用光增强结构，导通特性好。

公开(公告)号：CN119170723A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411282739.6

申请日：2024-09-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  黄泽龙 ,  高郁捷 ,  周锐 ,  李书平 ,  康俊勇 ,  张荣

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 本申请涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种深紫外LED复合周期性电极及其制备方法、深紫外LED。该制备方法包括以下步骤：准备芯片的外延片；对外延片的P型半导体空穴注入层的表面依次进行旋涂增粘液处理、旋涂光刻胶处理，而后进行烘烤处理；利用MLA光刻系统对外延片进行光刻处理，获得所需光刻图案，光刻图案呈等间距经纬分布，使其由若干矩形方格阵列式排布而成，矩形方格包括四条矩形边，且矩形边与矩形边的端部相交处采用圆点连接；将外延片进行I CP刻蚀后镀上导电电极材料，即得。本申请制得的深紫外LED复合周期性电极采用点线结合和复合有序的经纬排布设计，可使得正面深紫外光的透光效果显著提升，有利于获得高光提取效率的深紫外LED。

公开(公告)号：CN114242772A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111444358.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  陈雨箭 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。

公开(公告)号：CN114242709A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111437948.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L25/16 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L33/00

Abstract: 一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，涉及碳化硅功率半导体。由多个元胞并联而成，各元胞结构包括：P型掺杂集电区，位于P型掺杂集电区上方的N型掺杂场终止层，位于N型掺杂场终止层上方的N型掺杂漂移区，位于N型漂移区上方的P型掺杂的阱区，位于P型掺杂的阱区内部的N型掺杂的源区和P型掺杂的基区，位于N型漂移区和P型掺杂的阱区上方的氧化层，位于氧化层上方的栅极电极；集成的LED位于JFET区域的上方且在栅极电极的内部；发射极电极位于N型掺杂的源区和P型掺杂的基区上方；集电极位于P型掺杂集电区下方。在顶部栅极集成LED，利用LED发射出的光使JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率。