公开(公告)号：CN110790245A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911197640.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C01B21/082 ,  C04B35/597 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种热爆合成-重力分选制备氧氮化硅纳米粉体的方法。该方法以硅粉和二氧化硅为原料进行配比混合，通过热爆合成，得到以氧氮化硅相为主，含有少量残留二氧化硅和氮化硅副产物相的合成产物。最后再利用氧氮化硅颗粒与杂相颗粒之间的粒度差，通过重力分选的方式获得氧氮化硅纳米粉体。本发明也是对CN104891459A“一种常压热爆合成制备氮氧化硅粉体的方法”发明专利的技术改进。相较于CN104891459A发明专利在原料的粒径、配比，热爆合成和重力选择的时间都有所优化，因而可制备获得纳米级氧氮化硅粉体，其纯度高、粒径分布均匀、产品收得率大于90％。

公开(公告)号：CN110459621A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910680382.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 南昌大学

Inventor： 魏秀琴 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  尹传强

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种取代低温银浆制备太阳电池电极栅线的焊膏及其制备方法。该焊膏以质量份数计包括：低熔点合金粉体165-185份、有机粘接剂4-8份、助焊剂1-4份；所述的合金粉体，以质量百分比计包括锡45-65％、铋3-25％、铅0-40％、铟0-25％。本发明采用能够与ITO透明导电膜表面接触和附着良好的低温焊料，所获得的焊膏能取代低温银浆的栅线材料，其导电率显著高于相同温度条件下烘烤的银浆栅线。本发明以丝网印刷方法在电池表面印制栅线电极，以钎焊方法实现栅线在电池表面的熔融凝固附着，在基本不改变生产线设备和工艺的条件下取代银浆。

公开(公告)号：CN110436934A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910617455.0

申请日：2019-07-09

Applicant: 南昌大学

Inventor： 尹传强 ,  周浪 ,  李晓敏 ,  魏秀琴 ,  兰宇

IPC: C04B35/591 ,  C04B35/626 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明提供了一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法，属于非氧化物陶瓷材料的制备技术领域。本发明将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气，在慢速升温、分段保温、逐步降低辅助氩气的条件下反应生成高α相氮化硅堆积体软块，其上覆有大量超长氮化硅纳米线，将超长氮化硅纳米线剥离后，将疏松堆积体软块通过细化处理可获得高α相氮化硅粉体。本发明可以在无任何添加剂的情况下，通过硅粉氮化直接同步制备高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线。

公开(公告)号：CN105836748A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610328011.1

申请日：2016-05-18

Applicant: 南昌大学

Inventor： 岳之浩 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  汤昊 ,  尹传强 ,  高超

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/38 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/0525

CPC classification number: C01B33/021 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种湿法氧化腐蚀制备纳米硅粉的方法，包括如下步骤：（1）首先将硅粉原料依次采用丙酮和水溶液中进行清洗；（2）接着对硅粉氧化并去除氧化层；（3）最后对上述制备的硅粉进行抽滤、烘干。本发明无需昂贵的真空或高温设备；制备工艺简单，所需反应溶液的成本低廉；可精确控制纳米硅的尺寸，适于大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN101491888B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200910114992.X

申请日：2009-03-05

Applicant: 南昌大学

Inventor： 熊裕华 ,  魏秀琴 ,  周浪 ,  尹传强 ,  周潘兵 ,  杨志宏

IPC: B24B55/12 ,  B03D1/02 ,  B03B1/04

Abstract: 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比为砂浆100-1000份：处理剂100-1000份；将砂浆与处理剂搅拌均匀，沉降分为三层，分别收集上层的碳化硅和下层的硅粉；中间为液体层。处理剂包括溶剂和表面改性剂按比例混合而成，混合比例为重量百分比99-70％的溶剂，1-30％的表面改性剂。采用本发明收集的硅粉中残存的碳化硅少于0.5％体积百分比，砂浆中剩余的硅少于10％体积百分比。

公开(公告)号：CN209607836U

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201920130052.9

申请日：2019-01-25

Applicant: 南昌大学

Inventor： 岳之浩 ,  周浪 ,  尹传强 ,  黄海宾

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种表面双层包覆硅负极材料结构，硅颗粒表面由内而外依次为氮化硅层和氧化硅层。本实用新型既可利用内层的氮化硅层对硅材料储锂膨胀进行限制，又可通过外层氧化硅层中的Si-O键与粘结剂中碳氢氧结构结合形成化学键从而起到弹性钉扎作用，从而提高锂离子电池的循环稳定性。同时由于内层氮化硅层的存在，外层的氧化硅层的作用仅仅是与粘结剂结合形成钉扎效果，因此其厚度可较薄，不会在储锂过程中产生过多的不可逆氧化物，硅负极材料的首次库伦效率不会受到太大影响。因此，该氧化硅和氮化硅双层包覆硅负极材料结构可望同时具备高比容量、优异的循环稳定性以及高的首次库仑效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN218059512U

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202220896551.0

申请日：2022-04-18

Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院

Inventor： 李晓敏 ,  尹传强 ,  宋正林 ,  侯欣然 ,  陈宇洛 ,  徐航 ,  谢少雄 ,  周浪

IPC: D06B3/10 ,  D06B3/34 ,  D06B23/18 ,  D06B23/20 ,  F26B3/30

Abstract: 本实用新型公开了一种无纺聚酰亚胺纤维膜的三维化学交联装置，包括放卷机构、压延装置、浸渍机构、化学亚胺化炉和收卷机构，所述压延装置为两个辊轴间隙可精密调节的压延设备；所述浸渍机构包括浸渍槽、盖板、第一转弯导向辊轴、进液阀门、出液阀门和搅拌装置；所述第一转弯导向辊轴水平安装在浸渍槽内，所述盖板设置在浸渍槽的顶部，所述进液阀门设置在盖板的顶部，所述出液阀门设置在浸渍槽的底部，所述搅拌装置设置在浸渍槽内部的底部。本实用新型装置通过预压延‑溶剂原位微溶接‑化学亚胺化交联相结合的三重交联法可实现聚酰亚胺纤维膜的三维交联结构，达到调控纤维膜孔隙率，提高机械强度的目的。

公开(公告)号：CN217869476U

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202220920341.0

申请日：2022-04-18

Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院

Inventor： 尹传强 ,  李晓敏 ,  宋正林 ,  徐航 ,  侯欣然 ,  陈宇洛 ,  潘宗铭 ,  周浪

IPC: D06B1/02 ,  D06B23/02 ,  D06C15/02 ,  D06C7/00

Abstract: 本实用新型公开了一种无纺聚酰亚胺纤维膜的雾化化学交联装置，包括放卷机构、压延装置、雾化交联机构、热处理装置和收卷机构，所述压延装置为两个辊轴间隙可精密调节的压延设备；所述雾化交联机构包括雾化交联槽、第一转弯导向辊轴、上储液槽、下储液槽、上雾化喷嘴、下雾化喷嘴、上进液阀门、下进液阀门和出液阀门；所述热处理装置为温度程序可调的红外加热炉。本实用新型装置通过预压延‑溶剂原位微溶接‑化学亚胺化交联相结合的三重交联法可实现聚酰亚胺纤维膜的三维交联结构，达到调控纤维膜孔隙率，提高机械强度的目的。