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公开(公告)号：CN101882632B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010202111.2
申请日：2010-06-18
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜，利用磁控溅射技术制备，以玻璃为衬底，以Zn-Al合金靶和O2为原材料，以Al为掺杂剂，在真空条件下进行磁控溅射，在玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜，薄膜厚度(900～1500)nm，薄膜结构为glass/绒面ZnO薄膜，应用于pin型a-Si薄膜太阳电池或a-Si/uc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点是：利用磁控溅射技术，镀膜温度相对低，生长速率快，有利于大面积生长；无需后续湿法刻蚀技术制绒，可直接生长获得粗糙表面的绒面结构ZnO-TCO薄膜，有利于增加光散射作用；应用于pin型a-Si薄膜太阳电池，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN102168256A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110066989.2
申请日：2011-03-21
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜，而后采用正常情况下的掺杂，实现大晶粒尺寸，高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池，可进一步提高Si薄膜电池的性能。
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公开(公告)号：CN101724821B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910245083.X
申请日：2009-12-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，可以有效地改变靶材表面的磁场强度和分布状态，减少和避免磁控溅射过程中产生的高能粒子对硅薄膜太阳电池的轰击作用，改善透明导电氧化物TCO和硅Si薄膜的界面特性，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101705473B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910228693.9
申请日：2009-11-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备，该设备可以对样品进行大面积的镀膜，提高镀膜的效率，以适应大面积产业化的实验需求，并且可以控制薄膜的具体生长过程，操作简洁且可靠稳定，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101892464A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010202098.0
申请日：2010-06-18
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L31/0336
Abstract: 一种柔性衬底绒面结构ZnO薄膜，采用金属有机化学气相沉积技术制备，以聚乙烯对苯二甲酯(PET)为柔性衬底，以二乙基锌和水为源材料，硼烷为掺杂气体，生长B掺杂ZnO透明导电薄膜，结构为PET/MOCVD-ZnO；将该薄膜应用于pin型a-Si薄膜太阳电池和a-Si/a-Si叠层薄膜太阳电池，其结构分别是PET/ZnO/pina-Si/Al和PET/ZnO/pin a-Si/pin a-Si/Al。本发明的优点是：柔性衬底PET材料价格低廉且具有高透过率特性，便于大面积生产推广；MOCVD技术可实现低温生长薄膜；获得ZnO薄膜可直接形成绒面结构，有利于光散射；应用于薄膜太阳电池，光电转换效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101882632A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010202111.2
申请日：2010-06-18
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜，利用磁控溅射技术制备，以玻璃为衬底，以Zn-Al合金靶和O2为原材料，以Al为掺杂剂，在真空条件下进行磁控溅射，在玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜，薄膜厚度(900～1500)nm，薄膜结构为glass/绒面ZnO薄膜，应用于pin型a-Si薄膜太阳电池或a-Si/uc-Si叠层薄膜太阳电池。本发明的优点是：利用磁控溅射技术，镀膜温度相对低，生长速率快，有利于大面积生长；无需后续湿法刻蚀技术制绒，可直接生长获得粗糙表面的绒面结构ZnO-TCO薄膜，有利于增加光散射作用；应用于pin型a-Si薄膜太阳电池，光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN101724821A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910245083.X
申请日：2009-12-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，可以有效地改变靶材表面的磁场强度和分布状态，减少和避免磁控溅射过程中产生的高能粒子对硅薄膜太阳电池的轰击作用，改善透明导电氧化物TCO和硅Si薄膜的界面特性，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101705473A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910228693.9
申请日：2009-11-25
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的物理气相沉积设备，该设备可以对样品进行大面积的镀膜，提高镀膜的效率，以适应大面积产业化的实验需求，并且可以控制薄膜的具体生长过程，操作简洁且可靠稳定，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN101510577A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910068279.6
申请日：2009-03-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出一种在聚对苯二甲酸乙二酯塑料(PET)廉价塑料衬底上低温沉积柔性非晶硅薄膜太阳电池的技术，方法是：首先采用等离子体辉光对PET塑料薄膜进行预处理，以实现硅基薄膜电池所需求的衬底表面形貌；采用高压高氢稀释相结合的方式，在125℃温度下优化非晶硅薄膜材料及电池的性能；在PET塑料衬底上获得了转换效率达到5.4％的柔性非晶硅太阳电池。本发明的优点是，采用廉价的聚对苯二甲酸乙二酯塑料代替昂贵的聚酰亚胺作塑料衬底，成本低廉，性能完全达到使用要求；非晶硅电池部分p、i、n三层均采用低温的制备工艺，沉积温度不超过125℃，在制备过程中能耗大大减少，使得太阳电池的制造成本大大降低。
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公开(公告)号：CN100424899C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610016251.4
申请日：2006-10-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/52 , C23C16/40
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种MOCVD技术超低温制备高电导率、绒面未掺杂ZnO薄膜的方法。首先利用电子束蒸发技术或者溅射方法在玻璃衬底上沉积一层50-100nm高电导的ITO薄膜作为种子诱导层，其通常具有很好的电导率(～10-4Ωcm)；然后利用MOCVD技术低温生长未掺杂的ZnO薄膜。该方法在很低的温度下即可制备具有良好光散射能力的绒面结构ZnO薄膜；其次在不需要B2H6掺杂的情况下，可大幅度降低MOCVD系统生长ZnO薄膜的电阻率(可降至～10-3Ωcm)。通过后续H2低压退火可使薄膜的电子迁移率从～18.6cm2/Vs提高到～32.5cm2/Vs(提高～30%)。该方法特别适合大面积ZnO薄膜的制备。
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