一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN105552185A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610071423.1

    申请日:2016-02-01

    CPC classification number: H01L33/06 H01L33/005 H01L33/14

    Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管,由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备:首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层,然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点,再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层,最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄,色纯度高,稳定性好,性能优异,具有广泛的应用价值。

    一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103114269A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201310028623.5

    申请日:2013-01-25

    Abstract: CuAlO2透明导电薄膜具有宽禁带、低电阻率、可见光范围高光学透过率等特性,可广泛应用于太阳能电池、平面显示、电磁防护罩、功能窗、传感器以及其它光电器件领域。本发明涉及一种p型CuAlO2光电薄膜材料,提供了一种结晶质量好、高c轴取向、高透过率的CuAlO2薄膜制备方法。本发明首先采用脉冲激光沉积技术,以CuAlO2为靶材,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜,然后对制备的薄膜样品进行了900-1100℃高温气氛退火处理,获得了高结晶度、均匀致密、高c轴择优取向的纯相CuAlO2薄膜。本发明制备工艺简单、容易控制、重复性好、沉积速率稳定、绿色环保。

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