一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备和应用

    公开(公告)号:CN112542549B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202011423449.0

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于光电材料与器件领域。该发明将碘化铅,溴化铅,甲基碘化铵和甲基溴化铵按照摩尔比3:1:3:1溶解于离子液体醋酸甲铵中配制宽带隙钙钛矿前驱体溶液,并在空气中采用一步加热旋涂法将前驱体溶液旋涂在已沉积有电子传输材料和界面材料的ITO透明导电玻璃上,经过退火处理后形成表面致密平滑,结晶度高,缺陷态密度低且晶体取向好的宽带隙钙钛矿薄膜。所制备的宽带隙钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率和出色的器件稳定性。

    一种CeVO4空心立方结构的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115672305A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211115304.3

    申请日:2022-09-14

    Inventor: 李平 周勇 陈永华

    Abstract: 一种CeVO4空心立方结构的制备方法及应用,1)将CeCl3·7H2O与NH4VO3分散于4倍以上重量的饱和NaCl溶液中,再加入8倍以上重量的乙醇,得到混合溶液;CeCl3·7H2O与NH4VO3的摩尔比为1:0.75‑1.5;2)将步骤1)所得混合溶液搅拌0.3‑1小时,转移至不锈钢内衬特氟龙高压反应釜中,150‑180℃加热24±8小时;3)反应完成后,样品自然冷却至室温,将底部沉淀物离心并分别用乙醇和去离子水洗涤2‑5次,其后在冷冻干燥机中干燥24±8小时,最终获得深褐色CeVO4样品。将CeVO4空心立方结构应用于光催化二氧化碳还原反应。该方法成本低廉,制备简单并且可大规模生产。

    一种双层电子传输层及其钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115020596A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210607783.4

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 本发明涉及一种双层电子传输层及其钙钛矿太阳能电池的应用,属于光电子材料与器件领域。该发明利用了原子层沉积ALD(Atomic layer deposition)技术与传统的纳米水溶液旋涂技术,在FTO导电基板上制备得到一种具有双层结构的电子传输层,随后采用两步法,以MAFa离子液体为溶剂,经退火处理后得到均匀致密的钙钛矿薄膜;然后对薄膜进行后续处理,并旋涂Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层。利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法减少了漏电流的损失,并且可获得结晶性更好的薄膜,所制备的FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。

    一种双功能离子盐钝化锡基钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114284440A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202110959642.4

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种锡基钙钛矿太阳能电池表面钝化及抗氧化双功能界面处理的方法,属于光电材料与器件领域。该发明利用特殊的双功能离子盐乙二胺甲酸盐对锡基钙钛矿上界面进行处理并利用反溶剂法在沉积有空穴传输材料的ITO透明导电玻璃上制备得到锡基钙钛矿薄膜,经过上界面进行处理并退火处理后,薄膜表面平整致密,缺陷态密度低,晶体取向垂直于基板。所制备的锡基钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率和出色的器件稳定性。进行界面处理后的锡基钙钛矿太阳能电池在不封装的N2气氛下,约2000小时后仍可保持约95%的初始效率,未进行界面处理后的锡基钙钛矿太阳能电池在不封装的N2气氛下约2000小时后仅保持30%的初始效率。

    一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111341912B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202010155522.4

    申请日:2020-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、杂化钙钛矿阻变层和顶电极。其中:所述阻变层材料为CH3NH3PbBr3薄膜,采用溶液法在空气中制备钙钛矿薄膜的工艺。本发明的存储器制备方法如下:在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbBr3薄膜层;在所述CH3NH3PbBr3薄膜层表面蒸镀金属电极。本发明采用的原料易得,且制备工艺流程简单、绿色环保、可操作性强,制备的阻变存储器结构简单、写入电压低、开关比高,有利于产业化应用。

    一种稳定高效二维层状钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN108365102A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201810153988.3

    申请日:2018-02-22

    Abstract: 本发明公开了一种在空气中制备稳定高效二维层状钙钛矿太阳能电池的方法,其特征在于在空气中,通过整个旋涂过程中持续加热实现微米级钙钛矿晶粒的生长,制备出均一平整的高质量钙钛矿薄膜和稳定高效的钙钛矿光伏器件。本发明所公开的“整个旋涂过程持续加热”的方法,致使溶剂快速挥发加速晶粒的生长和转化,同时,也有利于二维层状钙钛矿沿着垂直于基底方向生长,最终形成平整致密均一的钙钛矿薄膜。本发明所公开的方法不需要惰性氛围的保护,有利于实现钙钛矿的大面积制备,降低成本。

    一种双功能离子盐钝化锡基钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114284440B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202110959642.4

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种锡基钙钛矿太阳能电池表面钝化及抗氧化双功能界面处理的方法,属于光电材料与器件领域。该发明利用特殊的双功能离子盐乙二胺甲酸盐对锡基钙钛矿上界面进行处理并利用反溶剂法在沉积有空穴传输材料的ITO透明导电玻璃上制备得到锡基钙钛矿薄膜,经过上界面进行处理并退火处理后,薄膜表面平整致密,缺陷态密度低,晶体取向垂直于基板。所制备的锡基钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率和出色的器件稳定性。进行界面处理后的锡基钙钛矿太阳能电池在不封装的N2气氛下,约2000小时后仍可保持约95%的初始效率,未进行界面处理后的锡基钙钛矿太阳能电池在不封装的N2气氛下约2000小时后仅保持30%的初始效率。

    一种基于离子液体溶剂的二维钙钛矿阻变存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119654037A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411869943.8

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于离子液体溶剂的二维钙钛矿阻变存储器件及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、二维钙钛矿阻变层和顶电极。其中:所述阻变层薄膜,采用溶液法在空气中制备钙钛矿薄膜的工艺。本发明的存储器制备方法如下:在预处理过的底电极表面旋涂溶解有PbI2的醋酸丁胺溶液;在所述钙钛矿薄膜层表面蒸镀金属电极。本发明采用的原料易得,且制备工艺流程简单、绿色环保、可操作性强,制备的阻变存储器结构简单,操作电压低,开关比可达到104,性能优异,呈现出典型的循环读写的非易失性存储特性。

    一种大面积钙钛矿光伏矩阵的制备方法

    公开(公告)号:CN118785729A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202310361274.2

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明提供了一种大面积钙钛矿光伏矩阵的制备方法,制备方法包括:在导电基底激光刻蚀出多条纵横交错的刻蚀线,划分得到b1×b2个底电极区域;以刻蚀线为位置参考,丝网印刷空穴阻挡层薄膜,后得到空穴阻挡层;丝网印刷钙钛矿薄膜,后得到钙钛矿层;丝网印刷空穴传输层薄膜,后得到空穴传输层;丝网印刷顶电极层薄膜,后得到顶电极层;丝网印刷b1×b2个相互连接的金属银线,并使各功能层周围由金属银线环绕以用作载流子收集,得到钙钛矿光伏矩阵。本发明的方案采用丝网印刷工艺图案化直接制备出大面积钙钛矿光伏矩阵,有利于增强大面积钙钛矿光伏器件的结晶可控性,重复率高,有利于器件的高效封装并提升器件的稳定性。

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