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公开(公告)号：CN115295661A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210893162.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/105 , H01L31/20 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN114899225A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210477893.3
申请日：2022-05-05
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，栅源连通区域和漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层，每个第二栅极金属层上表面均设有对应的第二互联金属层，第二栅极金属层一侧超出其上表面对应的第二互联金属层的一侧形成阶梯场板结构。本发明通过在晶体管栅源和栅漏连通区域中均设置第二栅极金属层和第二互联金属层形成阶梯场板结构，利用该阶梯场板结构有效改善了晶体管在正向和反向偏置电压下的内部电场分布，从而提升了晶体管的击穿电压和减小漏电流；构成该阶梯场板结构的金属层和晶体管电极区域的金属层同时形成，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN112255537B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011088859.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/26 , G01R31/54
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，开关测试电路包括主电路和控制电路，主电路包含串联的电源模块、负载模块和待测模块；电源模块包含直流DC电源和储能电容C1；负载模块包含负载电感L1、控制三级管Q3、续流二极管D1、负载电阻R1和控制三极管Q4；待测模块包含控制三极管Q2和待测三极管Q1；控制电路分别连接待测三极管Q1的栅极、控制三极管Q2的栅极、控制三极管Q3的栅极和控制三极管Q4的栅极。本发明测试过程中待测三极管只需导通一次，有效避免了器件自热，消除了与温度相关的氮化镓内部缺陷引起的测试误差，提高了测试精度，并且电路中集成了负载电阻和负载电感，扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN112255537A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011088859.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/327 , G01R31/26 , G01R31/54
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法，开关测试电路包括主电路和控制电路，主电路包含串联的电源模块、负载模块和待测模块；电源模块包含直流DC电源和储能电容C1；负载模块包含负载电感L1、控制三级管Q3、续流二极管D1、负载电阻R1和控制三极管Q4；待测模块包含控制三极管Q2和待测三极管Q1；控制电路分别连接待测三极管Q1的栅极、控制三极管Q2的栅极、控制三极管Q3的栅极和控制三极管Q4的栅极。本发明测试过程中待测三极管只需导通一次，有效避免了器件自热，消除了与温度相关的氮化镓内部缺陷引起的测试误差，提高了测试精度，并且电路中集成了负载电阻和负载电感，扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN102590577B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210062176.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种全光纤外差电流传感器，包括一个半导体激光器光源、一个普通光纤偏振控制器、一个光纤电流感应单元、一段端面有亚波长金属光栅的光纤和第一、第二两个光功率计、第一和第二两个光纤环路器，其中半导体激光器光源输出端通过光纤偏振控制器接第一光纤环路器后再连接光纤电流感应单元；第一光纤环路器第三端并联第二光纤环路器的第一端口，第二光纤环路器的第二端设有端面金属光栅和第一光功率计，第二光纤环路器的第三端接第二光功率计。采用基于光纤端面纳米金属线栅的全光纤光路，电流传感器在灵敏度、稳定性、及器件本身简化方面都有很大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103175807A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310053045.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明公开了一种反射型全光纤氢气传感器及其制备和测量方法。该传感器由单模光纤和光子晶体光纤组成，光子晶体光纤的一个端面以及光子晶体光纤纤芯孔洞阵列的内壁上镀有一定厚度的金属钯膜，光子晶体光纤的另一个端面与单模光纤熔接。测量光路为：光源输出端的入射光经传输单模光纤进入光纤环形器，再经传输单模光纤进入光子晶体光纤，入射光由光子晶体光纤端面处反射产生反射光，反射光经传输单模光纤和光纤环形器到达光谱分析仪。本发明结构简单易集成，具有对光源扰动免疫力高，检测性能稳定、准确等优势，该氢气传感器在环境氢气浓度为4％时，反射谱波长极小值移动Δλ可达1.7纳米，灵敏度相对布拉格光栅波长调制型氢气传感器高一个数量级。
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公开(公告)号：CN115312616B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/10 , H10F30/223 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN119170630A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411679755.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法。本发明所设计的具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件，包括自下而上依次设置的衬底层、高阻层、背势垒层、氮化镓层、势垒层，以及设置在势垒层上的栅极、源极和漏极；其特征在于，所述氮化镓器件还包括单粒子辐照电荷引出电极，所述单粒子辐照电荷引出电极包括均匀布置在所述势垒层的顶面上的多个p型氮化镓块、在每个所述p型氮化镓块中部设置的欧姆金属柱以及用以连接各个分散的欧姆金属柱的互联金属片；通过单粒子辐照电荷引出电极能够为辐照感生空穴泄放至器件外部提供路径，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
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公开(公告)号：CN118944607B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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公开(公告)号：CN118944607A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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