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公开(公告)号:CN105097007B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201410172835.5
申请日:2014-04-25
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。
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公开(公告)号:CN104464758B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201310440053.0
申请日:2013-09-24
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 在本发明实施例中提供了一种信息存储装置及方法,该装置包括磁轨道,该磁轨道由多个磁畴组成,每个磁畴划分为至少两个磁性区;写入单元,设置于磁轨道上,通过写入单元在每个磁畴的至少两个磁性区中写入信息;读取单元,设置于磁轨道上,通过读取单元读取在每个磁畴的至少两个磁性区中写入的信息,从而实现了在磁轨道的一个磁畴中写入多个有效信息,增加了磁轨道的存储密度,提升了存储装置的存储容量。
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公开(公告)号:CN106301389A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510307128.7
申请日:2015-06-05
Abstract: 本发明实施例公开了一种译码方法和设备;所述译码方法包括:从存储器读取码向量;根据低密度奇偶校验码LDPC算法对所述码向量译码,得到第一数据向量,并确定根据所述LDPC算法译码为所述第一数据向量包括的数值的错误概率;根据校验矩阵校验所述第一数据向量是否正确;如果校验结果为不正确,则将所述第一数据向量中错误概率大于概率阈值的数值作为删除译码算法的删除位,对所述第一数据向量根据所述删除译码算法进行删除译码并得到最终数据向量;将最终数据向量作为译码结果。
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公开(公告)号:CN105336357A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201410340473.6
申请日:2014-07-17
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C19/0866
Abstract: 本发明提供一种磁性存储装置,用于存取数据,其包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置和驱动装置,所述第一写装置和所述第二写装置均位于所述磁性存储轨道的不同位置,所述第一写装置用于写入所述第一数据或所述第二数据,所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示,所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示,所述第二写装置用于写入所述第三数据和所述第四数据,所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示,所述第四数据由磁畴的第四磁化方向来表示,所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向互不相同。
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公开(公告)号:CN105097008A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410175612.4
申请日:2014-04-28
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/08
Abstract: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法,包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲,其中,i是不为0的自然数;确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据;在确定未读取到一个磁畴的数据时,向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲,第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值;确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据;确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。
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公开(公告)号:CN105097007A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410172835.5
申请日:2014-04-25
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法,磁性存储装置包括:包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储,提高磁性存储装置的存储量。
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公开(公告)号:CN104953025A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201410111552.X
申请日:2014-03-24
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储器中的磁性轨道的制造方法,包括将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体;沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙;在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道。相应地,本发明实施例还公开了一种存储器中的磁性轨道的制造装置。采用本发明,可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道,提高读写精度。
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公开(公告)号:CN119623540A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202311181904.4
申请日:2023-09-13
IPC: G06N3/063 , G06N3/084 , G06N3/0464
Abstract: 本申请公开了一种用于训练神经网络的控制装置和方法,属于人工智能技术领域。本装置在训练神经网络的过程中,基于输出阈值和误差阈值,对输出信号和误差信号进行二值化和三值化处理,得到输出符号信号和误差符号信号,限制了需要进行更新的权重的范围,减少了权重更新的次数,从而减少了神经网络训练的计算能耗,再基于输出符号信号、误差符号信号和输入信号,获取更新信号,该更新信号指示权重的更新方向,即便新型存储器的电导值的变化不可控且会发生漂移,本装置也能够在下一次迭代中,给出该新型存储器的电导值的正确的更新方向。因此,本装置能够以较小的计算能耗克服新型存储器的非理想特性,提高训练效率。
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公开(公告)号:CN119337950A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202310896869.8
申请日:2023-07-20
Abstract: 提供了一种神经网络芯片以及数据调度方法。该神经网络芯片中包括可配置模块、多个计算节点、以及互联拓扑。互联拓扑包括多个数据通路,每个数据通路连接两个计算节点。可配置模块根据神经网络模型中神经网络层对应的配置信息,控制多个计算节点中实现神经网络层计算的计算节点连接的数据通路开通或关断,从而实现在神经网络芯片内部实现数据调度,提高神经网络芯片的整体运行效率。
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公开(公告)号:CN114079627B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202010820611.6
申请日:2020-08-14
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L45/16 , H04L12/18 , G06N3/0464
Abstract: 本申请公开了数据传输装置和方法,涉及数据传输技术领域,有助于提高数据传输效率。数据传输装置包括路由器、第一网络接口以及多个第二网络接口。在所述第一网络接口接收到所述路由器发送的包括多个目的网络接口的标识的数据包后,所述第一网络接口可以在第一子网中广播数据包,第一子网包括第一网络接口和多个第二网络接口,多个第二网络接口包括多个目的网络接口。所述第一子网中的多个第二网络接口接收第一网络接口发送的数据包后,所述多个目的网络接口可以根据数据包中的目的网络接口的标识,将数据包转发给对应的处理节点,所述多个第二网络接口中除所述多个目的网络接口之外的其他网络接口可以根据所述多个目的网络接口的标识丢弃数据包。
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