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公开(公告)号：CN100376473C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610124483.1
申请日：2006-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na2SeSO3溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se2-源，采用单一水合肼或水合肼与氨水、三乙醇胺的一种或多种混合作络合剂形成化学浴前驱体溶液，以化学浴法制备ZnSe纳米光电薄膜材料。和其它II-VI族半导体相比，ZnSe的溶度积常数相对较高，溶液中阴阳离子浓度之积超过其离子积常数时很容易发生同相沉积而形成粉末状块材，因此工艺的控制相当重要。本发明在ZnSe半导体薄膜合成过程中废液对环境的污染很小，是一种“绿色”的制备方法，所制备的ZnSe多晶纳米薄膜具有结晶性好，表面均匀而有光泽，可见光范围内透射率高，光学特性好等特点。
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公开(公告)号：CN119815973A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510031569.2
申请日：2025-01-09
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/30
Abstract: 本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角(根据实验结果，水的接触角为6°)，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子(I‑)迁移，提升器件稳定性。
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公开(公告)号：CN119768009A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411775663.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法，该氟化锑掺杂钝化的硫化铅量子点有源层的制备方法包括：制备碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜；将氟化锑溶解在乙腈中，得到氟化锑乙腈溶液；将碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜浸泡在氟化锑乙腈溶液；利用乙腈洗涤碘溴包裹的硫化铅胶体量子点薄膜预设次数，得到氟化锑化学反应掺杂钝化的硫化铅量子点有源层。本申请能够提高含有源层的半导体器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN119768000A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780332.6
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法，该基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜的制备方法包括：得到第五混合溶液；将第五混合溶液旋涂在目标样品上并退火处理预设退火时长，得到初始的硒化铅胶体量子点薄膜；将初始的硒化铅胶体量子点薄膜放入舱室，将舱室抽真空至气压达到预设压强，将初始的硒化铅胶体量子点薄膜升温至预设温度；向舱室通入三甲基铝气体，得到基于三甲基铝掺杂的硒化铅胶体量子点薄膜。本申请能够提高胶体量子点探测器的迁移率。
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公开(公告)号：CN119753604A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411780982.0
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种P型透明金属导电电极的制备方法，该P型透明金属导电电极的制备方法包括：准备Sb靶材和SnO2靶材；将Sb靶材和SnO2靶材放置于磁控溅射设备；在磁控溅射设备通入混合气体并调整磁控溅射设备内的气压至预设气压值；将磁控溅射设备的基底温度调整至预设基底温度，将磁控溅射设备的溅射功率调整至预设溅射功率，将磁控溅射设备的沉积时间调整至预设沉积时长，对Sb靶材和SnO2靶材进行磁控溅射，得到沉积薄膜；在预设退火温度下对沉积薄膜进行退火处理并保温预设保温时长，得到P型透明金属导电电极。本申请能够提高P型透明金属导电电极的中红外光透过率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119505897A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411661891.5
申请日：2024-11-20
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种阳离子交换的硫化铅量子点制备方法及其应用，所述阳离子交换的硫化铅量子点制备方法包括：S1：将卤化铅与油胺混合，形成第一溶液；真空加热所述第一溶液后形成卤化铅前驱体并维持第一温度；S2：通入惰性气体，在所述卤化铅前驱体中注入第二溶液，形成引发量子点成核溶液，并维持第一时间；S3:在升温的条件下，对所述引发量子点成核溶液滴加第三溶液，并达到第二温度；维持第二时间后最终得到硫化铅量子点混合溶液；S4：对所述硫化铅量子点混合溶液降温、离心，获得硫化铅量子点。本发明实施例实现峰位和尺寸控制的同时，也满足量子点表面缺陷的钝化，实现更高质量的硫化铅量子点制备。
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公开(公告)号：CN119060727A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311835482.8
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请公开了一种光催化合成硫化铅量子点的方法及应用，属于硫化铅量子点制备技术领域。该方法将光照引入硫化铅量子点合成的关键步骤中，减少了硫化铅量子点形成团簇结果所需要的能量，避免了反应体系温度过高或过低产生的不利影响，加快了硫化铅量子点的生长，大幅度减少了硫化铅量子点成核时间，获得了粒径均匀、表面钝化良好的单分散硫化铅量子点材料，所制备的硫化铅量子点材料的光子吸收光谱峰谷比高，体现出优异的光学性能。通过该方法制备的硫化铅量子点材料可用于制备光电探测器、太阳能吸收器、光学开关等光学器件，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117470370A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311344753.X
申请日：2023-10-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及高光谱成像技术领域，具体涉及一种滤光编码元件及其高光谱成像芯片和成像方法，所述滤光编码元件包括：X×Y组滤光单元，任一滤光单元具备过滤相同预设光谱滤光波段的能力；所述滤光单元包括a×b组滤光点，不同滤光点具有差异设置的吸收截止波长，用于实现对预设光谱滤光波段的覆盖。本发明基于滤光编码元件和高光谱成像方法获取的高光谱成像芯片，具有成像速度快、体积小、便于携带，适用性广、性能好等优点。
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公开(公告)号：CN115588678A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211362393.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种电荷耦合器件和电荷耦合器件的制备方法，本发明的电荷耦合器件包括：功能层；硅半导体层，所述硅半导体层位于所述功能层的表面；胶体量子点半导体层，位于所述硅半导体层远离所述功能层的一侧；所述胶体量子点半导体层具有短波红外吸收特性，用于吸收光子，并将其转换为电荷。本申请的电荷耦合器件利用胶体量子点半导体层吸收特定波段的红外光线，能够实现较传统硅基电荷耦合器件更高的光谱探测范围。
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公开(公告)号：CN110579526A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910829431.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管气体传感器及其阵列制备方法，该场效应晶体管(FET)气体传感器为量子点修饰栅电极的栅敏FET气体传感器，其栅敏电极层(5)为两层复合结构或由复合材料构成的单层结构，其中，两层复合结构包括金属薄膜层和沉积在该金属薄膜层表面上的量子点层；由复合材料构成的单层结构具体是由量子点与金属或类金属材料组合的复合材料构成的单层结构。本发明通过对栅敏FET其内部组成及结构、相应制备方法等进行改进，以量子点同时作为栅极和气体敏感层，利用量子点栅敏电极对不同气体的吸附特性来调控栅极偏压以及沟道调制效应，能够得到高灵敏、低功耗和高选择性的室温气体传感器，达到检测低浓度目标气体(如H2)的效果。
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