量子点自组装超级纳米结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101157851A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710053056.3

    申请日:2007-08-28

    Inventor: 余颖 马丽丽 彭梦

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了量子点自组装超级纳米结构材料的制备方法。用醇类作溶剂来制备纳米金属氧化物、硫化物或通过还原金属氧化物、硫化物得到纳米金属是一种广泛使用的方法。由量子点自组装形成的超级纳米结构材料由于具有非常优越的综合性能而倍受关注,其应用前景也非常广泛。本发明是采用醇溶剂法,在表面活性剂的存在下,通过改变条件得到由量子点自组装而形成的具有不同形貌的超级纳米结构。按照本发明,前驱物即有机金属化合物通过超声或/和搅拌或/和静置溶解于醇溶剂中,在表面活性剂作用下,成核并结晶长大成几个纳米大小的量子点,然后沿着表面活性剂胶束被限定的生长方向形成具有一定形貌或空间结构的超级纳米结构。

    一种镍钼修饰钼酸钴复合材料及其制备方法和中性电解水析氢应用

    公开(公告)号:CN119800421A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202410975845.6

    申请日:2024-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种镍钼修饰钼酸钴复合材料及其制备方法和中性电解水析氢应用。该复合材料包括导电基底和生长在所述导电基底上的镍钼修饰钼酸钴,所述的镍钼修饰钼酸钴为纳米片修饰的钼酸钴纳米棒阵列形貌,其中纳米片厚度在5‑80nm,纳米棒直径在0.1‑1μm。通过将导电基底与尿素、氟化铵、钴盐、钼盐、镍盐和水混合后进行水热反应制备得到。本发明所得复合材料结构稳定,具有丰富的活性位点,导电性好,对水的吸附能力强,用于中性条件下电解水析氢反应中时,过电势低,大电流情况下仍旧由较强稳定性,展示出了优异的催化活性和稳定性,制备简单高效,具有重要的应用前景。

    一种电化学还原二氧化碳制备乙烯的电催化还原体系及其应用

    公开(公告)号:CN119287392A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411402864.6

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 本发明属于电解CO2还原技术领域,公开了一种电化学还原二氧化碳制备乙烯的电催化还原体系及其应用。该电催化还原体系包括:阴极、阳极和电解液;其中:阴极为将铜基催化剂与液态小分子醇类、Nafion溶液混合分散均匀得浆料,然后将所得浆料喷涂到碳纸上制备得到;电解液为含有蔗糖添加剂的KOH电解液。本发明通过蔗糖分子调控铜催化反应界面,显著提升反应界面附近的反应物与催化C2H4生成的关键中间体的富集浓度,促进了后续的C‑C偶联反应生成C2H4,显著提升了C2H4产率,同时原料成本低,具有广泛的应用前景。

    一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114561649B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202011361120.6

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明涉及一种铁修饰的羟基硫化镍超薄纳米片阵列、制备方法及其应用。该材料为生长在块体镍衬底上的无定形的铁修饰羟基硫化镍纳米片阵列。通过两步氧化法制备得到,制备方法简单高效,且铁的掺入有利于提高催化剂的导电性,提升了电子的转移能力,从而促进了电解水析氧反应(OER)。该催化剂表现出了优异的OER催化活性,在电流密度下为10,100和500mA cm‑2时,所需过电势最低可至221,265和322mV,远低于纯的羟基硫化镍超薄纳米片阵列。同时,该催化剂能够在10~500mA cm‑2的电流密度下稳定运行。

    一种铁、钴修饰的磷化镍纳米片阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN113481529A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110765304.7

    申请日:2021-07-07

    Abstract: 本发明适用于电解海水产氧催化剂技术领域,提供了一种铁、钴修饰的磷化镍纳米片阵列及其制备方法,该材料为生长在泡沫镍衬底上的非晶相与晶相共存的铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列,其中铁的原子含量为1.62~3.09%,钴的原子含量为0.65~1.34%,铁、钴的原子比为2:1~4:1;采用两步水热法和气相沉积法制备铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列,步骤包括:首先,采用第一步水热法制备得到氢氧化镍纳米片,然后采用第二步水热法将铁、钴修饰到氢氧化镍纳米片阵列中;其次,采用一步气相沉积法制备得到铁、钴修饰磷化镍纳米片阵列。本发明提供的铁、钴修饰的磷化镍纳米片阵列作为电解水及电解海水析氧的工作电极,表现出了优异的催化活性。

    一种二氧化锰复合材料及由其制备的柔性超级电容器

    公开(公告)号:CN106024401B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201610294666.1

    申请日:2016-05-06

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明涉及一种二氧化锰复合材料及由其制备的柔性超级电容器。二氧化锰复合材料,其包括呈阵列形式排布的二氧化钛纳米管、主要生长在二氧化钛纳米管上的二氧化锰纳米片,和均匀包覆在二氧化锰纳米片上的高分子导电聚合物。该发明首次将二氧化锰材料应用于强酸电解液条件,使得材料在强酸下由只能循环一次提高到循环几千次。TMCP纳米结构在1mol/L硫酸酸性条件下电容高达640.2F/g(充放电速率为1A/g),几乎是在中性1mol/L硫酸钠条件下的两倍。而由TMCP/TCP组装成的固态全电容,其循环寿命更高达20000次以上。具有工业化的前景。

    一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104947165B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201510288549.X

    申请日:2015-05-29

    Inventor: 余颖 余罗 邱明强

    Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜的制备方法,其特征在于:配制二价铜离子盐的酸溶液,调节溶液的pH值为弱酸性,作电解液,在电解液中加入氟的前驱物溶液,然后利用三电极系统,以清洗干净的导电玻璃为工作电极,Pt片为对电极,饱和KCl的Ag/AgCl电极为参比电极,恒电压沉积,制备氟掺杂的n型氧化亚铜半导体薄膜。这种氟掺杂的氧化亚铜薄膜是n型半导体,拥有独特的多孔网状结构,并且表现出很好的光电性能。本发明提供的制备方法步骤简单,操作简易,反应条件温和,环境友好。通过简单的电化学沉积制备方法得到的高性能的氟掺杂的n型氧化亚铜薄膜将在同质结半导体太阳能电池上有广泛的应用。

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