一种可精细调整电荷累加级数的TDI-CMOS图像探测器

    公开(公告)号:CN117038684B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202310870327.3

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种可精细调整电荷累加级数的TDI‑CMOS图像探测器,包括衬底及位于衬底中的若干个相同的像素单元;所述像素单元均包括三个互不重叠的掺杂区,三个掺杂区内均具有离子,第三掺杂区内离子导电类型与第一掺杂区内离子导电类型相反;第一掺杂区表面设有多个栅极结构及金属互连层,第二掺杂区表面设有一个栅极结构及金属互连层,第三掺杂区顶部设有互连金属;通过对第二掺杂区的栅极结构进行电压和时序控制,调整当前像素单元电荷累积的数量。本发明通过对TDI‑CMOS图像探测器进行结构设计和时序控制,实现精细调整级数。

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