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公开(公告)号：CN106621461A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611147648.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及有机化学合成分离技术领域，提供了一种基于层析原理的高效分离装置，该装置由五边形层析载体单元和馏分收集单元，有机结合了薄层柱层析和柱层析两中分离方法，既保留了薄层层析的良好分离效果，又保留柱层析的连续层析的特点，因而具有分离效率高、分离效果好等特点。此外，该装置若连接减压装置还能进一步的分离速度，不仅节省了分离时间、还节省了所用流动相的消耗量，甚至还能节省繁琐的TLC跟踪工作，从而大大的提高了分离的工作效率。此外由于制备简单，调整方便，该装置有望广泛应用有机化工领域，特别是可以用于微量、半微量和小量有机化合物的快速分离。
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公开(公告)号：CN102993749B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210419872.2
申请日：2012-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种含有高浓度纳米金属氧化物的耐电晕聚酰亚胺薄膜，它主要成分包括均苯四甲酸二酐、4.4’-二氨基二苯醚和纳米级三氧化二铝，所属纳米级金属氧化物的粒径范围在30-50 nm间。本发明突出优点在于合成出一种新型的偶联剂，并将其与钛酸酯偶联剂NDZ-130复配对所制备的α- Al2O3超细粉末进行了表面改性修饰，从而使改性后的纳米颗粒能够以较高的质量分数（可达30 wt%）均匀稳定的分散在基体聚酰亚胺膜中。由于本发明采用以上新型的技术方案，能够较好的克服当前耐电晕聚酰亚胺薄膜制作中很难均匀地掺入高浓度纳米金属氧化物，同时保证膜的机械性能不下降的技术难题。
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公开(公告)号：CN102408745B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110381950.X
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09B47/00
Abstract: 本发明涉及一类以四苯基卟啉为核心的不对称染料分子及其制备方法，该染料分子结构通过在外围不对称取代不同碳链长度的给体、带三键的受体，并选择合适的核心金属离子来增强其吸电子与给电子能力，其制备方法包括合成4-4-溴苯卟啉的Adler合成方法以及之后的给受体取代反应。所制备的染料分子可应用于DSCC中，并可表现出良好的光电转化性能，在能源开发利用方面具有很大的应用前景。此类材料在一定条件下也具有液晶性从而可形成盘状液晶，在光电器件的应用方面具有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN102653507B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110111162.9
申请日：2011-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C07C49/796 , C07C45/68 , C09K19/32
Abstract: 本发明涉及一种芘类大共轭体系盘状液晶化合物及其制备方法，属于有机合成技术领域。该化合物结构如图所示，其中n为4-20的整数。该化合物制备方法包括：芘的傅克酰基化反应，中间产物溴代反应，Sonogashira偶联反应。本发明方法制备的芘类大共轭体系盘状液晶化合物更容易形成极其规整的柱状四方相盘状液晶。这种极其规整的柱状四方相盘状液晶具有很好的载流子传输效率的优点。而这种分子排列极其规整的柱状四方相盘状液晶极为罕见，这种结构是有机太阳能电池，有机场效应晶体管中所需要的理想结构，因此该化合物具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102653507A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110111162.9
申请日：2011-04-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C07C49/796 , C07C45/68 , C09K19/32
Abstract: 本发明涉及一种芘类大共轭体系盘状液晶化合物及其制备方法，属于有机合成技术领域。该化合物结构如图所示，其中n为4-20的整数。该化合物制备方法包括：芘的傅克酰基化反应，中间产物溴代反应，Sonogashira偶联反应。本发明方法制备的芘类大共轭体系盘状液晶化合物更容易形成极其规整的柱状四方相盘状液晶。这种极其规整的柱状四方相盘状液晶具有很好的载流子传输效率的优点。而这种分子排列极其规整的柱状四方相盘状液晶极为罕见，这种结构是有机太阳能电池，有机场效应晶体管中所需要的理想结构，因此该化合物具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102603568A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110383773.9
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C07C255/50 , C07C253/30 , C07C25/24 , C07C17/269 , C07C331/28 , C09K19/18
Abstract: 本发明属于液晶化合物合成技术领域，涉及含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法。该化合物结构如下所示：其中n为1-4的整数，R1为供电子基团，R2为吸电子基团。该类化合物主要经Sonogashira偶联反应和去三甲基硅反应得到。本发明制备的一类含氟双二苯乙炔液晶化合物具有大的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团，且分子无对称性。本发明制备的含氟双二苯乙炔类液晶化合物具有大双折射率，且分子两端基团的特点，将在非线性光学、3D图像显示、空间光调制器及光学设备上有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN102199093A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110089746.0
申请日：2011-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种苝类盘状液晶化合物及其制备方法，该化合物结构如式（1）所示：（1）其中，R1的结构为的仲碳烷基链，m为1-20的整数，n为2-20的整数；该化合物制备方法包括：苝四甲酸酐的开环反应，仲烷基溴的亲核取代反应。本发明盘状液晶化合物在有机溶剂中溶解性好，在溶液中，该分子可发生聚集，即相对于单独的荧光体来说其最大吸收峰和发射峰发生红移，而在聚集过程中不发生荧光淬灭。基于这样的性质，该类化合物可被用于制作电致发光器件。同时该类分子结晶点低，是液晶范围较宽的室温液晶，在高温时倾向于自组装成规整的平面结构或者一维有序结构，并在室温下得以保存。作为有机电子传输器件有很大的应用潜力，是很好的n型半导体材料。
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公开(公告)号：CN102051184A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010594640.1
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于盘状液晶分子及其制备技术领域，具体涉及一种含芘对称型盘状液晶分子的制备方法。该盘状液晶分子是以芘为刚性中心，通过炔基以及苯环扩大其共轭效应制备的具有自组装以及液晶性能的分子。该盘状液晶分子结构通过外围支链的碳碳三键与苯环扩大π共轭范围，其制备方法包括芘的四溴代后进行Sonogashira偶联反应，所制备的盘状液晶具有可自组装成六方柱状相，其偏光照片如图1所示，其在分子堆垛方向呈现高电导率等优良性能，因此具有广阔的应用范围。
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公开(公告)号：CN118981130A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411316817.X
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/139
Abstract: 本发明公开了单层液晶反射式液晶彩色显示材料及其制备方法，包括如下步骤：制备含有光刻墙的TFT基板Ⅰ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙的TFT基板Ⅱ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和高分子负载手性剂薄膜A的TFT基板Ⅲ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和只有蓝色像素点内含有高分子负载手性剂薄膜A的TFT基板Ⅳ；制备具有形貌均匀高度整齐的像素点光刻墙和红色像素内不含薄膜A和B，绿色像素内含有薄膜B，蓝色像素中含有薄膜A和B的TFT基板Ⅴ；制备单层液晶反射式液晶彩色显示材料。本发明研制出了单层液晶内超高反射率、红绿蓝独立显示、可电场控制双稳态显示的液晶材料。
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公开(公告)号：CN117483895A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311400752.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属复合扩热板的钎焊制备工艺，属于大功率器件散热技术领域。所述扩热板包括石墨烯板、铝合金盖板、槽形铝合金底板和Sn基软钎料层。其中，石墨烯板与铝合金盖板及石墨烯板与槽形铝合金底板之间的连接用Sn基软钎料通过钎焊方式焊接在一起。一方面，本发明将高导热石墨烯板封装在铝合金结构中间，避免了石墨烯板表面易掉粉造成器件短路的缺点。另一方面，在石墨烯板和铝合金表面制备的镀膜可改善钎料在其表面的润湿性，实现石墨烯和铝合金的焊接。本发明能够将大功率器件的热量及时导出，具有较好的散热效果，保证设备的安全运行和工作。
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