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公开(公告)号：CN113887734A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要： 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN113866691A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111460490.X
申请日：2021-12-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号：CN112149138B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011327250.8
申请日：2020-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种密码算法程序漏洞检测方法及系统、存储介质。所述方法包括：对密码算法程序的汇编文件和配置文件进行解析；根据解析后的汇编文件和配置文件构造程序对象；根据指令分类信息执行所述程序对象的对应指令，在执行首个指令的过程中建立安全类型系统的初始分配集，在执行所述程序对象的对应指令的过程中监测每一指令的执行情况，在所有指令执行完毕后比较所述安全类型系统的最终分配集与指定分配集的偏序关系，以确定所述密码算法程序是否存在信息泄露。本发明漏洞检出的准确率高，实施性强，扩展性好，适用于在指令集架构上运行的不同类型的密码算法程序。
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公开(公告)号：CN111563248A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010313348.1
申请日：2020-04-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F21/44
摘要： 本发明涉及安全芯片技术领域，提供一种安全芯片访问系统，包括：服务访问模块、第一GCI模块、接口设备模块和安全芯片；服务访问模块用于接收访问服务请求，并将其转换成基本应用指令；第一GCI模块用于接收基本应用指令，通过与基本应用指令对应的预设访问接口将基本应用指令发送给接口设备模块；接口设备模块用于接收发送自第一GCI模块的基本应用指令，将其转换成安全芯片能够识别的数据流；安全芯片用于接收该数据流，根据数据流执行与数据流对应的数据安全服务，获得执行结果。本发明提供的技术方案，能够实现安全芯片在不同芯片种类、不同设备上的互联互通，提高安全芯片的服务能力，从而满足用户需求。
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公开(公告)号：CN106301761B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610647528.7
申请日：2016-08-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H04L9/06
摘要： 本发明涉及一种基于密码杂凑算法的压缩方法及装置，方法包括：获取各变量字的初值和预计算扩展字；对第一变量字、第二变量字、第三变量字的初值进行布尔函数处理；将预计算扩展字、第一变量字的初值、补偿结果以及布尔函数处理后的结果进行压缩加和处理，其中，补偿结果为进行预设位数移位后的常数与预设的补偿值的和；对压缩加和处理后的结果进行选择；对选择后的加和处理后结果进行置换运算，得到当前周期的第一变量字的压缩结果，可以缩短算法中的关键路径，降低关键路径时延，提高电路的吞吐率。
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公开(公告)号：CN108923797A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810660107.7
申请日：2018-06-25
申请人： 东南大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于LTE MTC电力物联网的新型发射机，包括：DSM调制器，用于分别采样和调制基带部分输出的I、Q两路正交数字基带信号，得到两路数字电平信号；本振可变增益衰减器，用于对本振信号功率衰减并输出多路正交差分信号；上混频器，用于将两路数字电平信号变换后作为其内晶体管开关的控制信号，以控制晶体管开关选择本振可变增益衰减器输出的正交差分信号中的某一路得到和输出射频信号；可变增益射频放大器，用于对射频信号按所需增益放大；射频功率放大器，用于对射频信号功率放大；射频SAW滤波器，用于对功率放大后的射频信号滤除带外噪声。本发明具有功耗低，可采用非线性较强的射频功率放大器，提高了发射机的能量效率。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN106940523A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710190594.0
申请日：2017-03-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G04R20/00
摘要： 本发明涉及一种基于低频时码技术的授时装置，包括：信号解调模块和数据处理模块，所述信号解调模块包括磁棒天线、信号调制单元、第一主控单元，所述磁棒天线通过所述信号调制单元与所述第一主控单元相连；所述数据处理模块包括第二主控单元；所述第一主控单元与所述第二主控单元进行通信。本发明实施例公开的一种基于低频时码技术的授时装置，有如下优点：所有终端设备可以进行统一校时，校时信号覆盖范围广泛。无需网络连接和人工干预，每天24小时自动校时。授时精度高，无累计误差。节省RTC相关电路，仅增加可靠的低频时码接收电路，节省了成本。本发明实施例提出的授时装置，解决了智能电网终端因计时不准导致的用户计费不准等问题。
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公开(公告)号：CN106301761A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610647528.7
申请日：2016-08-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H04L9/06
CPC分类号： H04L9/0643 , H04L2209/125
摘要： 本发明涉及一种基于密码杂凑算法的压缩方法及装置，方法包括：获取各变量字的初值和预计算扩展字；对第一变量字、第二变量字、第三变量字的初值进行布尔函数处理；将预计算扩展字、第一变量字的初值、补偿结果以及布尔函数处理后的结果进行压缩加和处理，其中，补偿结果为进行预设位数移位后的常数与预设的补偿值的和；对压缩加和处理后的结果进行选择；对选择后的加和处理后结果进行置换运算，得到当前周期的第一变量字的压缩结果，可以缩短算法中的关键路径，降低关键路径时延，提高电路的吞吐率。
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