晶闸管器件
    41.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222692200U

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202421306011.8

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本申请涉及一种晶闸管器件。晶闸管器件包括:半导体晶圆,半导体晶圆上设有多个晶闸管单元组;每个晶闸管单元组包括多个晶闸管单元,多个晶闸管单元围绕半导体晶圆的中心排布;多个晶闸管单元组沿半导体晶圆的径向依次排布;门极接触件,设于半导体晶圆的第一侧;每一晶闸管单元的门极均与门极接触件连接;其中,门极接触件包括围绕半导体晶圆的中心排布的多个第一接触电极和多个第二接触电极;第一接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离大于第二接触电极与半导体晶圆的中心之间的距离。本申请有利于降低各晶闸管单元与门极接触件的距离差,提升了晶闸管器件关断时的电流均匀性,从而提升了可关断电流。

    用于装载晶圆的晶舟
    42.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222887854U

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202520597678.6

    申请日:2025-04-01

    Abstract: 一种用于装载晶圆的晶舟,属于半导体制造领域。晶舟(100)包括支撑件(1)和杆状的多个支杆套(2),支杆套(2)彼此平行地且可拆卸地安装在支撑件(1)上,支杆套(2)在支杆套(2)的延伸方向上面向待装载的晶圆一侧设有彼此平行的多个晶圆插槽(21),支杆套(2)设置为彼此共圆地在一圆周方向上排列。通过装载晶圆的晶舟,实现一个晶舟适用于多种厚度晶圆的目的。

    功率半导体器件及其抗爆结构

    公开(公告)号:CN222867675U

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202520594862.5

    申请日:2025-04-01

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,公开一种功率半导体器件及其抗爆结构,该功率半导体器件包括芯片以及将芯片封装的管壳,芯片上设有阴极电极,阴极电极与管壳阴极连接,抗爆结构包括第一泄爆通道、第二泄爆通道以及泄爆空腔;第一泄爆通道贯穿设于阴极电极上并沿轴向延伸;第二泄爆通道设于管壳阴极上并沿轴向延伸,第一泄爆通道的一端与第二泄爆通道对应连通,另一端朝向芯片的一侧设置;泄爆空腔设于管壳阴极上,第二泄爆通道背离第一泄爆通道的一端与泄爆空腔连通,泄爆空腔能够将爆炸能量导出至管壳外部。本申请通过在阴极电极和管壳阴极上均设有泄爆通道,将内部的爆炸能量引导至泄爆通道,并经由泄爆空腔卸掉爆炸能量,从而提升管壳的抗爆能力。

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