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公开(公告)号：CN102570276A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210004947.0
申请日：2012-01-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种提高CO2激光器倍频效率的准相位匹配晶体制备方法属于激光领域。其特征在于：用硒化锌单晶作为准相位匹配倍频晶体，将硒化锌单晶垂直 方向切割成多个规格相同的厚度为100-120μm的薄片，相邻晶片极化方向相差180°，晶片的表面抛光后经过氢离子束轰击处理，通过键合技术将相邻硒化锌晶片牢固结合，使多层晶片形成一体。本发明所述的方法相对于目前常用倍频方法有以下优点：器件光学损耗小；通光孔径达到1cm2以上；可以大大提高CO2激光器准相位匹配倍频晶体的转换效率和输出功率。
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公开(公告)号：CN101935883B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010279377.7
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆，两真空室由隔离阀门相连接，进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗，离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源，磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室，并且装有具有贴合功能的可移动的基片台，磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室，离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下，通过低能氢离子源对晶片的清洗，在常温或略微加温下进行晶片冷焊接，使多片键合成晶体块，获得低损耗的倍频晶体。
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公开(公告)号：CN118502010A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410640739.2
申请日：2024-05-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双包层晶体波导及激光器，波导结构包括：芯层；其中，芯层的尺寸选择要求为：在保证波导满足基模光输出下，选择最大的尺寸；内包层，内包层键合在芯层的外表面上，以对水平和竖直两个方向的信号光传输模式均形成波导作用；外包层，外包层蒸镀在芯层的内包层上，基于内外包层的折射率差，使得泵浦光因全反射被限制在晶体波导中；散热端头，散热端头键合在波导的泵浦入射面上。本发明采用无胶热键合和蒸镀技术制备出双包层晶体锥形圆波导，其具有大基模模场面积、高单程增益、大表面体积比等特点，可实现高功率、高光束质量的激光输出。
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公开(公告)号：CN116598880A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310434150.2
申请日：2023-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种镱双浓度掺杂钇铝石榴石的平面波导激光放大器属于固体激光放大器技术领域。本发明公开了一种可实现高功率、高效率的双掺杂Yb:YAG平面波导激光放大器，本发明芯层增益材料采用双掺杂浓度的Yb:YAG，降低波导入射端的芯层掺杂浓度减小热效应，增加后端增益介质掺杂浓度增加泵浦吸收，提高了增益介质的泵浦吸收均匀性，减小增益介质端面的温度梯度，改善热效应。制备方式采用键合技术，使得平面波导放大器整体结构更加简单紧凑，本发明的双掺杂Yb:YAG平面波导具有较大的功率体积比，易于实现小型化、大功率的工程应用。
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公开(公告)号：CN109638649B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910031825.2
申请日：2019-01-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置，采用填充二极管阵列之间的发光空隙，对单个半导体叠阵进行空间合束，因此将半导体叠阵发光区域总体分为上下两部分。将b个半导体阵列中的x个和y个，由y个阵列激光直接通过条纹镜透射区透射，而由x个阵列对应的激光通过条纹镜和反射镜反射后，再次透过条纹镜最下方透射区透射，与y个阵列产生的激光进行位置交换，并整体向下偏移，而a个阵列产生的激光通过反射镜和条纹镜反射区反射后，穿插在透射光间隔之中。通过移动阵列的个数，可增加条纹镜厚度，而空间合束的激光功率密度可成倍提高，对条纹镜的厚度无限制。本方法克服了半导体叠阵数量及功率的限制，从而实现高功率合束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110086070B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910415905.8
申请日：2019-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高泵浦吸收、高功率输出的新型薄片激光器结构。本发明采用的技术方案为一种泵浦级联薄片激光器结构，包括两个陶瓷框架，一个泵浦源，两个通过键合或焊接有不同增益介质的薄片，以及直通冷却液。两个陶瓷框架竖直放置，两个薄片分别为薄片A和薄片B，薄片A和薄片B平行镶嵌在陶瓷框架中。连接面和薄片A上表面之间所构成的区域为区域D；薄片A下表面和薄片B上表面所构成的区域为区域E。本结构在采用腔内泵浦，提高泵浦吸收效率的同时，运用泵浦级联的方法，第二次泵浦光波长与输出波长更为接近，极大地降低了激光过程中的量子亏损，再一次缓解增介质中的热负载，有效进行热管理，提高激光器的效率，延长了激光器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111769434A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010541050.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器，包括泵浦源、泵浦耦合系统、增益介质、抑制ASE晶体、被动调Q晶体、泵浦光和激光分离结构。在微片激光器一侧切45°角结构，泵浦光和激光通过此面的膜被分离开，避免了泵浦光对被动调Q晶体的漂白。通过热键和技术，各晶体有效牢固地结合，可提高激光器的稳定性，利于实现微片激光器的小型化。且键合后的晶体结合界面稳定，有利于晶体散热。本发明广泛应用于其他测距用的固体激光器中，易于实现小型化、大能量、窄脉宽的目标，易于实现工程应用。本发明完全避免泵浦光进入可饱和吸收调Q晶体中，从而避免了泵浦漂白问题，提高振荡激光输出的单脉冲能量，减小脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN110190501A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910447950.1
申请日：2019-05-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/115 , H01S3/1055
Abstract: 一种基于体布拉格光栅的主动调Q方法，属于固体激光技术领域。将体布拉格光栅与激光工作介质、泵浦源、谐振腔腔镜(或者在激光工作介质端面直接镀膜作为谐振腔腔镜)构成一个激光器谐振腔。利用透射式体布拉格光栅的角度选择性或者反射式体布拉格光栅的频谱选择性，通过利用外部调制方法，使体布拉格光栅对谐振腔振荡激光的衍射效率发生周期性变化，实现谐振腔腔内损耗的主动控制，从而实现谐振腔Q值的主动调制，实现主动调Q。本发明所述的方法，由于体布拉格光栅厚度较薄，且谐振腔内不需要插入偏振片等其他元件，因而可以有效缩短谐振腔长度，实现短谐振腔长度的主动调Q，获得脉冲宽度较窄的激光输出。
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公开(公告)号：CN107017545A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710449011.1
申请日：2017-06-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/091 , H01S3/1643
Abstract: 本发明公开了一种提高Nd:YAG激光器输出特性的方法及装置，属于激光器制造领域，所述装置包括梯形板条激光增益介质、泵浦源、全反镜、柱面镜、光阑、输出镜；所述的梯形板条激光增益介质是键合蓝宝石的Nd：YAG晶体板条；利用非同种材料的键合技术减小了热板条激光器的热效应，提高了输出功率和光束质量。利用蓝宝石良好的导热以实现掠入射板条激光器自由振荡运行时高输出功率和高光束质量的激光输出。
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公开(公告)号：CN105680315A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610232477.1
申请日：2016-04-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/115
CPC classification number: H01S3/115
Abstract: 本发明公开了一种提高电光调Q激光器平均输出功率的方法，属于激光器制造领域。该方法采用z切割、加纵向电场的方形KD*P晶体作为电光开关。该结构的KD*P晶体与传统圆柱状结构的KD*P晶体相比，由于晶体内部温度场梯度发生变化，降低了由剪切应力引起的双折射，并使其折射率椭球变形程度小于传统圆柱状结构的KD*P晶体，从而使该特殊结构的KD*P晶体热退偏小于圆柱形KD*P晶体，改善了电光晶体的开关特性，提高了电光调Q激光器的平均输出功率。
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