-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202695520U
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201120531036.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本实用新型包括上侧电极，高光提取的窗口层结构，接触层，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧电极，以及下侧半导体限制层；上侧电极，高光提取的窗口层结构，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧半导体限制层，接触层，下侧电极自上而下依次垂直连接；所述的高光提取的窗口层结构由半导体窗口层与接触层垂直连接构成。本实用新型通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。
-
公开(公告)号：CN220231914U
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202323086878.5
申请日：2023-11-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种PCB板测试装置，包括测试盒、测试结构、更换结构、下压结构、限位结构、安装结构和PCB板本体；通过测试结构测试PCB板本体的性能，通过更换结构快速更换测试结构，操作快捷简单，提高了装置的灵活性；通过下压结构对PCB板本体施加压力，使PCB板本体与探针充分接触，使针板测试PCB板本体的效果更好，通过限位结构快速更换压板，适合对不同大小的PCB板本体施加向下的压力，提高了装置的使用效果；安装结构包括压杆，方便根据PCB板本体上的电气元件位置更换压杆位置，避免压杆压坏电气元件，同时便于更换不同长度的压杆，使PCB板本体受力更加均匀，提高了装置的适用性与使用效果。
-
公开(公告)号：CN200983371Y
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200620158556.4
申请日：2006-11-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型属于光电子器件制造技术领域，具体涉及半导体发光二极管的电极结构。低压降高取光LED电极，其结构包括：半导体基底(1)，欧姆接触层(2)，透明电流扩展层(3)，压焊电极(4)；欧姆接触层与半导体基底接触，覆盖在半导体基底的上面；透明电流扩展层覆盖在欧姆接触层上面；压焊电极位于透明电流扩展层(3)上面；欧姆接触层(2)为一种带有通孔(5)的导电膜(6)；透明电流扩展层(3)通过欧姆接触层(2)的通孔(5)与半导体基底(1)接触。本实用新型解决了传统金属欧姆接触层吸光大的问题，增加了电极的取光效率；降低了传统透明导电氧化物接触层电极驱动电压，获得了低的LED驱动电压。
-
公开(公告)号：CN222166506U
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202420617086.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体集成电路测试装置，包括底座和壳体，壳体通过多个第一连接柱安装在底座上方，半导体集成电路通过夹持机构被夹持在底座上表面；撞击测试机构设在壳体内，其包括升降板，升降板通过提升组件可升降安装在壳体内，升降板底部沿竖直方向安装有多个第二连接柱，多个第二连接柱的底端伸出壳体底板后连接测试头，测试头置于半导体集成电路正上方；缓冲机构设置在壳体内底壁上且置于升降板的正下方，缓冲机构用于缓冲测试头的撞击力。本实用新型自动化程度较高，能够有效节约浪费人力，提升半导体集成电路的检测效率，有效避免由于测试头下落冲击力过大所造成的半导体集成电路的表面损坏，保证产品合格率。
-
公开(公告)号：CN201060868Y
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200620134179.0
申请日：2006-10-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 高提取效率的半导体发光二极管结构属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本实用新型提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与SixNy介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，SixNy介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，SixNy介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130％以上。
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.019 seconds)
