一种高效散热的半导体器件

    公开(公告)号:CN210489602U

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201921949544.7

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种高效散热的半导体器件,包括半导体衬底,还包括导热微纳结构、氮化物器件和氮化物层,所述氮化物器件设有若干个,所述导热微纳结构匹配所述氮化物器件设有若干个,所述氮化物器件和所述导热微纳结构相间设置于所述半导体衬底,所述氮化物器件和所述导热微纳结构紧密接合,所述氮化物层设于所述氮化物器件远离所述半导体衬底一侧,本实用新型结构简单,设计合理,相当于在氮化物器件当中嵌入导热微纳结构做为导热通道,此通道可以通过优化大小与排列,最大限度地提高氮化物外延材料综合导热性能,从而有效保证半导体器件的散热效果。

    一种消毒装置
    42.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211096263U

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201921559761.5

    申请日:2019-09-18

    Abstract: 本实用新型涉及消毒设备领域,具体涉及一种消毒装置,包括基板、安装于基板的紫外线单元、电源单元和控制单元,所述电源单元和所述紫外线单元分别与所述控制单元连接,还包括显示单元,所述显示单元与所述控制单元连接,所述基板为采用柔性材料制成的基板,安装有所述紫外线单元、所述电源单元和所述控制单元的基板呈可卷曲形状,本实用新型结构简单,设计合理,通过设置柔性基板,在使用本实用新型的时候,可以根据实际使用空间环境的形状,对本实用新型进行卷折,使用非常方便。

    内嵌金属基氮化物材料外延衬底

    公开(公告)号:CN212967679U

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202022428035.9

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本实用新型涉及第三代半导体材料制备技术领域,尤指一种内嵌金属基氮化物材料外延衬底,包括衬底,衬底制有若干个凹坑,每个凹坑内依次生长有第一金属介质层、第二金属介质层和第三金属介质层,第三金属介质层在凹坑内生长至覆盖衬底。本实用新型解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题,使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态,提高其可靠性及性能。

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