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公开(公告)号：CN109891599B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201680090321.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。
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公开(公告)号：CN109844961B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201680090007.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN110785856A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880042175.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN110121788A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201680090735.5
申请日：2016-11-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L21/324 , H01L31/18 , H01L31/02 , H01L21/67 , C30B35/00
Abstract: 本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110100317A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201680090730.2
申请日：2016-12-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050352A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201680090581.X
申请日：2016-11-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/321 , H01L31/068 , H01L31/028 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法，其具有下列步骤：于半导体基板的第1主表面形成第1电极的步骤，及以覆盖前述第1电极的至少一部分的方式涂布绝缘膜前驱物的步骤，及使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤，及于至少前述绝缘膜前驱物上，以与前述第1电极电绝缘的方式涂布导电性糊料的步骤，及使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤，以及使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤，将前述导电性糊料以与前述第1电极电绝缘的方式进行涂布的步骤在使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤之后进行，使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤的至少一部分与使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤的至少一部分同时进行。由此，可提供生产性高、且具有高光电转换特性的太阳能电池的制造方法。
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公开(公告)号：CN109891599A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201680090321.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，在有第一导电型的半导体基板的第一主表面，具有有前述第一导电型的基极层，及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层，且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池，其特征在于，在前述第一主表面上，具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜；具有被配置成覆盖前述射极电极，而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜；具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极；前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是，W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此，可以抑制绝缘材料的消耗，而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好，同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微，且使太阳能电池特性提升。
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公开(公告)号：CN106796964B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201580044524.3
申请日：2015-06-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0256 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其具有掺杂有镓且形成有pn结的硅基板，所述太阳能电池的特征在于，在所述硅基板的主表面中的至少具有p型区域的第一主表面设置有热氧化硅膜，并且所述硅基板进一步掺杂有硼。由此，本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池具有作为基板表面钝化膜的热氧化硅膜，并且能够抑制光劣化，同时具有高转换效率。
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公开(公告)号：CN107078178A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060359.0
申请日：2015-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此，本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。
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公开(公告)号：CN106463549A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030808.7
申请日：2015-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022458 , H01L21/28 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/0224 , H01L31/02366 , H01L31/068 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池，其在基板的与受光面相反的面上，形成有第1导电型的扩散层与第2导电型的扩散层，所述太阳能电池具备：第1电极部、第2电极部、第1电极线部、第2电极线部、第1电极母线部及第2电极母线部；在第2电极部与第1电极母线部交叉的区域，以覆盖第2电极部的侧面部与上部的方式形成第1绝缘膜，在第1电极部与第2电极母线部交叉的区域，以覆盖第1电极部的侧面部与上部的方式形成第2绝缘膜，在第1绝缘膜的正下方，线状地连续形成第2电极部，在第2绝缘膜的正下方，线状地连续形成第1电极部。由此，提供一种配线电阻低、转换效率高的背面电极型太阳能电池及能够以低成本制造这种背面电极型太阳能电池的太阳能电池的制造方法。
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