公开(公告)号：CN103035851A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210362751.9

申请日：2012-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 由徳大介 ,  佐藤信彦

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L51/0018

Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光显示装置的制造方法。提供使得能够制造抑制显示故障的高分辨率有机电致发光显示装置的有机电致发光显示装置的制造方法。有机电致发光显示装置的制造方法包括各自包含至少包含发光层的有机化合物层的多个有机电致发光元件，该方法包括：在基板上形成有机化合物层；在有机化合物层上依次形成中间层和抗蚀剂层；通过光刻方法去除抗蚀剂层的一部分；和通过干式蚀刻选择性地去除抗蚀剂层的所述一部分被去除了的区域中的中间层和有机化合物层，遮光层具有阻挡具有大于或等于190nm且小于或等于360nm的波长的光的功能。

公开(公告)号：CN102084720B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980126363.7

申请日：2009-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水野信贵 ,  佐藤信彦 ,  永山耕平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L27/3209 ,  H01L27/3206 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 本发明提供一种能够减少由来自包含具有相同颜色的发光层的有机层的光发射导致的色度差的有机电致发光显示装置，所述有机层在包含于像素中的两个子像素上连续形成。该有机电致发光显示装置包括：基板；和层叠于基板上的多个有机电致发光器件，所述多个有机电致发光器件中的每一个包含电极和被电极夹着的有机层，其中，第一有机层和第二有机层在与在基板上形成的像素对应的发光区域中并排布置，并且，经由中间电极在第一有机层和第二有机层上层叠第三有机层。第三有机层具有比第一有机层和第二有机层中的至少一个的发光光谱峰值波长长的发光光谱峰值波长。

公开(公告)号：CN102084719B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980126095.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山孝志 ,  三村敏彦 ,  佐藤信彦 ,  永山耕平 ,  井关正己 ,  和泉望 ,  玉木顺也

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/3209

Abstract: 防止在发光器件层叠的结构中从与接触孔重叠的区域发光。一种层叠的有机电致发光显示装置包括将第一电极或第二电极电连接到驱动电路的接触孔。在该接触孔中设置第一或第二电极以及第二有机化合物层，并且存在于该接触孔中的第二有机化合物层不发光。

公开(公告)号：CN102084720A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126363.7

申请日：2009-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水野信贵 ,  佐藤信彦 ,  永山耕平

IPC: H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L27/3209 ,  H01L27/3206 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26

Abstract: 提供一种能够减少由来自包含具有相同颜色的发光层的有机层的光发射导致的色度差的有机电致发光显示装置，所述有机层在包含于像素中的两个子像素上连续形成。该有机电致发光显示装置包括：基板；和层叠于基板上的多个有机电致发光器件，所述多个有机电致发光器件中的每一个包含电极和被电极夹着的有机层，其中，第一有机层和第二有机层在与在基板上形成的像素对应的发光区域中并排布置，并且，经由中间电极在第一有机层和第二有机层上层叠第三有机层。第三有机层具有比第一有机层和第二有机层中的至少一个的发光光谱峰值波长长的发光光谱峰值波长。

公开(公告)号：CN101252138A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN1139969C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98109689.1

申请日：1998-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片。在利用键合晶片制备基片的方法中，相互键合第一基片部件和第二基片部件，然后在形成于第一基片部件主表面的第一层和第二层的界面分离第二基片部件与第一基片部件，由此第二层转移到第二基片部件。在分离过程中，通过改变多孔Si层的孔隙率的方法、使多孔Si的孔聚集形成容易分离面的方法、在界面进行离子注入的方法、或利用异质外延界面的方法来确保分离位置在第一第二层的界面。

公开(公告)号：CN1127120C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN99122409.4

申请日：1999-09-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底，该衬底包括在多孔层上形成的晶体缺陷较少的非多孔单晶层，并且提供制造该衬底的方法。该制造半导体衬底的方法包括：提供包含多孔硅层的衬底的步骤，热处理多孔硅层的热处理步骤，以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，其中，在包含氢气的还原气氛或惰性气体的气氛或超高真空气氛中进行热处理的步骤，使得因热处理而腐蚀的硅厚度不大于2nm，且使由热处理后的雾值与热处理前的雾值的比值所定义的热处理前后多孔硅层表面的雾值变化率r满足1≤r≤3.5的关系。

公开(公告)号：CN1099698C

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN97105478.9

申请日：1992-02-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

公开(公告)号：CN1076861C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN96112241.2

申请日：1996-07-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/76256

Abstract: 半导体衬底的制造方法，包括以下步骤：设置有生长在其上的多孔单晶硅层和无孔单晶硅层的第1部件，将第1部件的无孔硅层叠放在第2部件上，第1与第2部件间有设置于第1和第2部件的至少一叠放面上的绝缘层，腐蚀掉多孔单晶硅层，其中，以控制的低生长速率生长无孔单晶硅层，使得无孔单晶硅层生长到厚度相当于多孔单晶硅层的孔径时，晶体生长面上留下的孔的密度不大于1000/cm2。

公开(公告)号：CN1225501A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98127197.9

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 伊藤正孝 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C30B31/10 ,  C30B33/005 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 提供一种新的热处理设备,该设备包括第一筒,位于其内的第2筒,以及加热器,并且在环境气体中在第2筒内对半导体工件热处理,其中至少第2筒的内工作面是由非氧化硅构成,并且第1筒是由琉态硅石构成。由此,氢气送入到晶片而不需要从被加热到高温的氧化硅构成的工作面上通过。该设备防止熔化石英筒作为污染源的对晶片的金属污染,还防止氧化硅和硅的反应造成的硅腐蚀。