公开(公告)号：CN104425375A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310380190.X

申请日：2013-08-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823878

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；对所述凹槽实施预处理；在所述凹槽的底部形成籽晶层；在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽；在所述嵌入式锗硅层上形成帽层。根据本发明，在降低温度和处理时间的情况下，可以确保对所述凹槽的预处理达到对所述凹槽的洁净度的要求，保证后续外延生长所述籽晶层和所述嵌入式锗硅层的质量。

公开(公告)号：CN103840077A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201210492209.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静 ,  洪中山

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提出相变存储器的两种制作方法以改善其相变材料剥落现象。第一种方案：在相变材料与包埋下电极的介电层之间设置TiON粘合层，利用该TiON粘合层增强介电层与相变材料之间的结合程度，因而实现了防止相变材料脱落，提高了相变存储器的可靠性。第二种方案：形成侧墙状的粘合层以增强相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时利用了该侧墙底部的尺寸大于顶部的尺寸，使得供相变材料沉积的空间的底部尺寸小于顶部尺寸，减小了相变材料与下电极的接触面积，换言之，该侧墙状的粘合层不但增加了相变材料与侧壁的扩散阻挡层、介电层的粘合性能，同时，降低了相变材料与下电极的接触面积，降低了操作电流。

公开(公告)号：CN103730342A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210382865.X

申请日：2012-10-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静 ,  何有丰

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28017 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28035

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成界面层、高k介电层、覆盖层和牺牲栅极材料层；执行第一湿法清洗，以去除所述半导体衬底的背面上形成的牺牲栅极材料层；对所述半导体衬底依次进行表面氧化处理和第二湿法清洗，以去除所述第一湿法清洗在位于所述半导体衬底正面的牺牲栅极材料层的表面造成的粒子缺陷。根据本发明，形成的所述牺牲栅极材料层的粒子缺陷会显著减少，从而不会影响实施后续工艺的质量。

公开(公告)号：CN103165440A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110407863.7

申请日：2011-12-09

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数金属栅极半导体器件制造方法，包括：提供形成有高介电常数金属栅极结构的半导体器件，所述半导体器件包括衬底、在所述衬底上形成有高介电层和金属栅极，在高介电层和金属栅极的两侧设有侧壁氧化层；对所述半导体器件进行低温退火。本发明在形成高介电常数金属栅极结构之后，对半导体器件进行低温退火，降低了金属栅极缺陷，降低了阈值电压，提高了半导体器件性能，同时使得在退火过程中，避免由于退火温度过高导致的栅极金属产生蒸发而污染退火腔室，造成设备损坏。

公开(公告)号：CN109935518B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201711376358.4

申请日：2017-12-19

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司

Inventor： 林静 ,  蔡国辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件及其金属栅极的形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有凹槽，且在所述凹槽内形成有高K介质层以及位于所述高K介质层表面的功函数层；在所述功函数层的表面形成无定形硅；对所述无定形硅进行氧化处理，以在所述无定形硅的表面生成氧化层；在所述氧化层的保护下，对所述功函数层进行退火处理；在所述凹槽内填充金属，以形成所述金属栅极。本发明方案可以在高温退火的过程中，提高无定形硅对功函数层的保护作用。

公开(公告)号：CN111446364A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201910045628.6

申请日：2019-01-17

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L49/02

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成第一反应层；对所述第一反应层和第一电极层进行第一处理，使所述第一反应层和部分厚度第一电极层的材料之间相互反应，将所述第一反应层和部分厚度的第一电极层转化为形成于剩余所述第一电极层上的第二电极层；在第二电极层上形成电容介质层；在电容介质层上形成第三电极层。本发明在第一处理的过程中，第一反应层和第一电极层的材料之间相互扩散并发生反应，当第一电极层表面形成有凹坑时，所形成的第二电极层材料还会填充至该凹坑中，使第二电极层的表面平坦度较高，从而改善尖端漏电的问题，进而改善包含有电容结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN108155100A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611110266.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构膜；在所述栅极结构膜上形成图形化的掩膜结构，所述图形化的掩膜结构包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第一掩膜层包括第一材料层；以所述图形化的掩膜结构为掩膜刻蚀栅极结构膜，在所述基底上形成栅极结构，所述刻蚀工艺对第一材料层的刻蚀速率小于对所述第二掩膜层的刻蚀速率；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙。所述方法能够避免漏电。

公开(公告)号：CN107369685A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610309122.8

申请日：2016-05-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括至少两个相邻的PMOS区，在相邻PMOS区内的隔离结构之间形成有凹槽；在凹槽底部的半导体衬底上形成籽晶层；在籽晶层上形成主体锗硅层；在主体锗硅层上形成盖帽锗硅层，盖帽锗硅层的形状为Σ型；在每个盖帽锗硅层暴露的四周表面上形成共形的覆盖层，且相邻PMOS区内的部分覆盖层相接触，以形成空气隙；在隔离结构以及覆盖层上形成介电层；回蚀刻部分介电层以及部分覆盖层，以暴露盖帽锗硅层的顶面。根据本发明的制造方法，可以降低器件的RC延时，避免形成于嵌入式锗硅顶面上的金属硅化物之间发生桥连。

公开(公告)号：CN103779496B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201210413488.1

申请日：2012-10-25

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种相变存储单元的制作方法，包括在对所述相变材料层进行低温退火处理的过程中，在温度为20℃～174℃环境中通入含氧气体，并利用微波或紫外线照射所述相变材料层。本发明所述相变存储单元的制作方法通过在对所述相变材料层进行退火的工艺中，采用低温退火方式，并配合微波或紫外线，不仅不会导致相变材料层特性的改变，避免相变材料层的扯皮问题的发生，而且能够使相变材料层较好地部分氧化或全部氧化，由于氧化后的相变材料层具有更好的粘附性能，能够与金属层更好地接触，提高相变材料层与金属层的粘合能力，进而提高相变存储单元的性能。

公开(公告)号：CN106952909A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610006664.8

申请日：2016-01-06

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，在形成第一应力层和第二应力层之后，形成覆盖第一应力层的第一覆盖层和覆盖第二应力层的第二覆盖层，并在形成第一覆盖层和第二覆盖层之后，形成填充于第一覆盖层和第二覆盖层之间间隙内的间隔层。所述间隔层表面高于第一覆盖层和第二覆盖层的顶角位置，能够限制第一覆盖层和第二覆盖层的顶角上生长第三覆盖层和第四覆盖层，从而限制第三覆盖层和第四覆盖层相互连接，进而限制第一晶体管区域和第二晶体管区域所形成的金属硅化物相互连接。