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公开(公告)号：CN111725382A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910223216.7
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其写入和读取方法，该结构包括：约瑟夫森结存储环路，具有一个第一约瑟夫森结；发热电阻，设置于约瑟夫森结存储环路中的第一约瑟夫森结附近，用于控制约瑟夫森结的温度。通过在第一约瑟夫森结附近设置发热电阻，利用发热电阻发热来调节第一约瑟夫森结区附近的温度，从而改变其临界电流，而不需要通过外部磁场耦合来改变第一约瑟夫森结的临界电流，相对于现有技术中的外部磁场耦合的方式调制临界电流，本发明采用发热电阻调制临界电流可使得约瑟夫森结存储环路的面积大大减小；利用纳米桥结替代传统的隧道结，在获得高动态电感的同时也可以进一步减小存储环路对几何电感的需求从而减小环路面积，并且也可以缩小第一约瑟夫森结的面积。
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公开(公告)号：CN110739010A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911001686.5
申请日：2019-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低温存储单元及存储器件，低温存储单元包括：自旋矩转移器件，自旋矩转移器件将写电流转化为自旋极化电流，并在自旋极化电流的作用下改变磁极化方向，以实现0和1的写入存储；纳米超导量子干涉器件，纳米超导量子干涉器件的接地端与自旋矩转移器件的接地端共地连接；纳米超导量子干涉器件在自旋矩转移器件磁极化方向改变的作用下发生磁通变化，从而在读电流信号偏置下实现超导态和非超导态的互相转变，实现0和1的读出。本发明的低温存储单元可以大幅降低自旋矩转移器件的电阻，从而降低低温存储单元的存储写入的功耗，读出信号与RSFQ电路信号可以达到完全兼容。
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公开(公告)号：CN107871812B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201711008605.5
申请日：2017-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器及其制备方法，包括：于基片上形成第一超导材料层并图形化，形成第一电极；覆盖绝缘材料层；于绝缘材料层的表面形成第二超导材料层并图形化，形成第二电极；去除第一电极上方的绝缘材料层，于第一、第二电极之间形成绝缘夹层，剥离光刻胶；于第一电极、绝缘夹层及第二电极的上表面形成纳米线，以得到多个3D纳米桥结，两个3D纳米桥结并联形成超导量子干涉器件，多个超导量子干涉器件串联、并联或串并联形成基于3D纳米桥结的超导量子干涉滤波器。本发明将3D纳米桥结应用于SQIFs阵列，通过改变3D纳米桥结的串、并联的不同方式，来达到减小SQIFs阵列的面积，增大SQIF的集成度的目的。
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