公开(公告)号：CN111725382B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201910223216.7

申请日：2019-03-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈垒 ,  吴丽丽 ,  王镇

IPC: H01L39/10 ,  H01L39/22 ,  H01L27/18 ,  G11C11/02

Abstract: 本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其写入和读取方法，该结构包括：约瑟夫森结存储环路，具有一个第一约瑟夫森结；发热电阻，设置于约瑟夫森结存储环路中的第一约瑟夫森结附近，用于控制约瑟夫森结的温度。通过在第一约瑟夫森结附近设置发热电阻，利用发热电阻发热来调节第一约瑟夫森结区附近的温度，从而改变其临界电流，而不需要通过外部磁场耦合来改变第一约瑟夫森结的临界电流，相对于现有技术中的外部磁场耦合的方式调制临界电流，本发明采用发热电阻调制临界电流可使得约瑟夫森结存储环路的面积大大减小；利用纳米桥结替代传统的隧道结，在获得高动态电感的同时也可以进一步减小存储环路对几何电感的需求从而减小环路面积，并且也可以缩小第一约瑟夫森结的面积。

公开(公告)号：CN111725382A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910223216.7

申请日：2019-03-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈垒 ,  吴丽丽 ,  王镇

IPC: H01L39/10 ,  H01L39/22 ,  H01L27/18 ,  G11C11/02

Abstract: 本发明提供一种超导磁通量子存储单元结构及其写入和读取方法，该结构包括：约瑟夫森结存储环路，具有一个第一约瑟夫森结；发热电阻，设置于约瑟夫森结存储环路中的第一约瑟夫森结附近，用于控制约瑟夫森结的温度。通过在第一约瑟夫森结附近设置发热电阻，利用发热电阻发热来调节第一约瑟夫森结区附近的温度，从而改变其临界电流，而不需要通过外部磁场耦合来改变第一约瑟夫森结的临界电流，相对于现有技术中的外部磁场耦合的方式调制临界电流，本发明采用发热电阻调制临界电流可使得约瑟夫森结存储环路的面积大大减小；利用纳米桥结替代传统的隧道结，在获得高动态电感的同时也可以进一步减小存储环路对几何电感的需求从而减小环路面积，并且也可以缩小第一约瑟夫森结的面积。