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发明公开
一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法失效

公开(公告)号：CN101950758A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010225694.0

申请日：2010-07-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 , 徐大伟 , 王中健 , 何大伟 , 宋朝瑞 , 俞跃辉

IPC: H01L29/51 , H01L21/28

Abstract: 本发明介绍了一种在SOI材料上制备多层高介电常数材料栅结构的方法。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的Si3N4，这层Si3N4将有效隔离高介电常数材料层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在Si3N4上沉积一层高介电常数材料，并对高介电常数材料进行适当的氮化处理，使得高介电常数材料上层形成一层高介电常数的氮氧化合物，这层氮氧化合物将有效阻止金属栅电极与高介电常数材料层之间的元素扩散。最后溅射生长金属电极。

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