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公开(公告)号：CN111143971B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201911233274.4
申请日：2019-12-05
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种辐射环境下双极型晶体管反向电流增益退化模型的构建方法，该方法包括：a）根据双极型晶体管反向工作特性，获得发射极电流IE；b）获得考虑界面复合下的基极电流IB；c）辐射环境反向电流增益退化模型的建立；d）模型验证。本发明构建的模型纳入了双极型晶体管界面复合的对反向电流增益退化的影响，从而能精准地计算双极型晶体管反向电流增益的退化，进而得到精准的退化模型，所需拟合参数少，适用性广泛，该模型对于辐射环境下双极型晶体管可靠性提供了更准确的预测。
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公开(公告)号：CN111161775B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201911170922.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器，该存储器包括上拉晶体管、传输晶体管及下拉晶体管。其中上拉晶体管和传输晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极，设置在控制栅极与源端之间的电学隔离的边墙；下拉晶体管包括沟道、设置在沟道两侧的源端和漏端、设置在栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极，设置在控制栅极与漏端之间的电学隔离的边墙。本发明利用非对称型可重构场效应晶体管结构上的差异，来达到导通电流的不一致，实现了静态随机存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力，有效的提高了静态随机存储单元的读写稳定性，同时进一步提高了静态存储电路的性能。
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公开(公告)号：CN112332849B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011249988.7
申请日：2020-11-11
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种实现低功耗低噪声的数模转换器和模数转换器，数模转换器采用C2C+二进制电容阵列，低位终端电容与最低位的低位权重电容并联，高位终端电容与M个高位权重电容并联，L个低位权重电容和高位终端电容的第二连接端分别作为一个节点，每相邻两个节点中插入一个桥接电容；L+1个节点分别通过第二开关连接共模电压进行复位，低位终端电容和L个低位权重电容不参与采样，其第一连接端分别通过第一开关连接参考电压或地电压；高位终端电容和M个高位权重电容参与采样，其第一连接端分别通过第三开关连接输入电压、参考电压或地电压。本发明既具有C2C+二进制结构的面积小和功耗低的特点，又解决了其存在的噪声大和可靠性问题。
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公开(公告)号：CN111786675B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010708674.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于动态追踪的电荷共享式模数转换器量化方法，本发明通过量化两个采样点之间的码字之差，由比较器的比较结果判定电容切换方向，将以二进制增大或减小的方式寻找采样点所在区间，直到比较结果反转，确定采样点所在区间，得到新的预测码字和最终的输出码字；DAC模块采用电荷分享切换方式，只需一组电容阵列，精简了电容阵列，减少了功耗；在预测不准确时引入两组电容替补阵列，在量化过程中除使用电容替补阵列外最多有1～2个电容进行切换，能够改善微分非线性DNL，从整体上降低了模数转换器的功耗；本发明尤其适用于传感器信号幅度变化缓慢且不会突变的温度传感器信号，可以大大减少比较器的比较次数和DAC的电容阵列切换次数。
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公开(公告)号：CN110995159B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911257408.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于电阻式振荡器的数字温度传感器电路，属于数字模拟集成电路技术领域。本发明利用N个第一延时单元首尾相连构成延时链产生第一振荡器输出，利用N个第二延时单元首尾相连构成延时链产生第二振荡器输出，N为正奇数，第二延时单元包括一个第一延时单元串联一个与温度线性度比第一延时单元更好的第一电阻；再利用分频器和计数器获得第一振荡器输出信号的周期和第二振荡器输出信号的周期，根据第一振荡器输出信号和第二振荡器输出信号的周期差获得温度信息。在低电源电压供电条件下降低了数字温度传感器的功耗，实现了数字温度传感器的高线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112345103B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011231226.4
申请日：2020-11-06
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G01K7/01
Abstract: 一种基于MOS管的温度传感器，正温度系数电压产生模块中第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端，其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压，其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极；负温度系数电压产生模块中第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端，其源极连接第一电阻的另一端并接地，其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极，调节四个MOS管的宽长比，令流经第二NMOS管和第一PMOS管的电流相等，第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压，第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压；输出模块将正温度系数电压减去负温度系数电压的差值信号作为温度传感器的输出信号，增大了输出信号随温度变化的摆幅，提高了温度传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111464139A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010332805.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路，通过共模信号采集模块中两组并联的电阻电容对宽摆幅全差分运放的共模输出进行采集并注入到共模放大模块中与共模参考电压进行比较，在共模反馈模块中生成反馈调节信号反馈至宽摆幅全差分电路中第一级负载电流源管栅端，实现通过反馈使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定；同时在共模前馈模块中生成前馈调节信号连接至宽摆幅全差分电路中源随器的电流源管栅端，使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定。本发明通过引入新的前馈通路为整体共模响应电路提供额外的零点，使宽摆幅全差分运算放大器整体相位裕度性能提升且不影响共模响应增益，在不影响输出摆幅的情况下提升了宽摆幅全差分运算放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN111159933A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911264350.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法，本发明将源漏外延器件的栅围电容分为栅极与插塞耦合电容CCO、栅极与底层互连金属M1耦合电容CPM和栅极与源漏耦合电容CGSD三类，设计了四类不同的测试结构，用于提取三类栅围寄生电容。通过对四种测试结构的测试值统计分析，逐步将栅极与插塞耦合电容CCO、栅极与底层互连金属M1耦合电容CPM和栅极与源漏耦合电容CGSD分离。测试结构测试值分析处理得到的栅围电容间接值，可借助三维场仿真器还原得到栅围电容的真实值。针对不同的器件尺寸，对其栅围电容进行去嵌、分析，所得的栅围电容以二维查找表的形式写入ITF文件，使用LPE工具StarRC生成版图寄生库nxtgrd文件，实现版图寄生库文件与栅围电容的精准匹配。
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公开(公告)号：CN111143971A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911233274.4
申请日：2019-12-05
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种辐射环境下双极型晶体管反向电流增益退化模型的构建方法，该方法包括：a）根据双极型晶体管反向工作特性，获得发射极电流IE；b）获得考虑界面复合下的基极电流IB；c）辐射环境反向电流增益退化模型的建立；d）模型验证。本发明构建的模型纳入了双极型晶体管界面复合的对反向电流增益退化的影响，从而能精准地计算双极型晶体管反向电流增益的退化，进而得到精准的退化模型，所需拟合参数少，适用性广泛，该模型对于辐射环境下双极型晶体管可靠性提供了更准确的预测。
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公开(公告)号：CN111106179A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911265131.1
申请日：2019-12-11
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/49 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种双金属功函数栅的可重构场效应晶体管，该晶体管包括纳米线沟道、包裹在纳米线沟道外侧的栅极氧化物、纳米线沟道一端的源极、纳米线沟道另一端漏极、分别设置在源极和漏极外侧采用不同金属功函数的控制栅极和极性栅极、分别设置在源极和控制栅极之间、漏极和极性栅极之间的边墙，设置在栅极氧化物外侧、控制栅极和极性栅极之间的栅极隔离。本发明可以通过分别改变控制栅极和极性栅极的金属功函数，分别调整可重构场效应晶体管N型和P型的开态电流和关态电流，实现N型特性和P型特性的一致性。
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