-
公开(公告)号：CN104556061A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852430.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种改性二氧化硅胶体的制备方法，依次包括以下步骤：1）调节铝改性硅溶胶溶液的pH至8.5~10.5，再加热至100~120℃并保温；2）搅拌过程中加入颗粒半径为10~15nm的二氧化硅胶体溶液；3）搅拌过程中加入活性硅酸和稳定剂，并控制溶液pH为8.5~10.5；4）冷却至室温；搅拌陈化；5）超滤浓缩至固含量为20~40wt%的浓缩液。本发明中公开了一种改性二氧化硅胶体的制备方法，采用本发明中制备方法制备的二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为花瓣形的二氧化硅颗粒，非球形，这种颗粒的颗粒大，在应用于化学机械抛光时能够更有效的达到机械研磨的目的，提高研磨的效率，同时研磨材料的表面性能良好。
-
公开(公告)号：CN104556059A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854992.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 一种纳米二氧化硅的聚合方法，为将粒径为5~30nm的纳米二氧化硅水溶液进行加热，调控所述纳米二氧化硅水溶液的pH值为7.5~11.7，所述纳米二氧化硅水溶液的温度为65~200℃，在此温度下的保温时间为10分钟以上，获得具有非球形二氧化硅的水溶液。采用本发明方法获得的硅溶胶中二氧化硅颗粒之间有一定聚合度、并且聚合结构紧密，聚合后的二氧化硅颗粒仍然能够均匀分散；未引入杂质金属离子；方便后续应用；生产过程简单，生产成本低廉。
-
公开(公告)号：CN103896290A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587486.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种较宽pH范围稳定的改性硅溶胶及其制备方法。本发明的稳定的改性硅溶胶制备方法如下：将待改性的碱性硅溶胶与阴离子交换树脂混合进行交换反应，获得除去阴离子的硅溶胶；加热使其沸腾，搅拌滴加金属盐溶液，获得待反应液；将待反应液于反应釜中反应0.5～24h，反应温度为100～150℃，得到反应产物；将反应产物与阳离子交换树脂混合进行交换反应，除去反应产物中的金属离子，获得改性的硅溶胶。本发明提供的改性硅溶胶，胶粒粒径10~60nm，二氧化硅含量为0.1~40%，pH值为3~11，常温放置一年以上，能够满足涂料、纺织、半导体等领域的应用需求。
-
公开(公告)号：CN103500795A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
-
公开(公告)号：CN103497340A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310442823.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法，为：（1）制备经表面活性剂表面改性的聚苯乙烯颗粒的水溶液；（2）制备用连接剂和硅酸的水溶液，用pH调节剂调节其pH值为碱性，制得经连接剂处理的硅酸的碱性水溶液；（3）调节步骤（1）制得的经表面活性剂表面改性的聚苯乙烯颗粒的水溶液为碱性，机械搅拌加热条件下，逐滴滴加步骤（2）制得的经连接剂处理的硅酸的碱性水溶液，进行聚合反应；（4）反应结束后，停止加热，继续搅拌冷却至室温制得所述的聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒；该制备方法具有成本低廉、易于生产的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102690604A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110072199.5
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 一种用于相变存储器的化学机械抛光液，其特征在于，包括：抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术，本发明提供的化学机械抛光液，可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1：1至180：1)的去除，且能保证相变材料在抛光后相变性质不改变、表面光洁无划痕，满足相变存储器CMP工艺要求。
-
公开(公告)号：CN101236780B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
-
公开(公告)号：CN102516879A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411364.5
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、电化学腐蚀抑制剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述电化学腐蚀抑制剂的含量为0.0001-10wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著抑制化学机械抛光过程中相变材料发生电化学腐蚀，从而大大改进相变材料图形片化学机械抛光工艺。
-
公开(公告)号：CN102516878A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411337.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。
-
公开(公告)号：CN102268332A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
167
records
(took 0.086 seconds)
