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公开(公告)号：CN103604535A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310612238.5
申请日：2013-11-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 一种基于差分电容电桥的残余应力测试结构，包括衬底、两组下极板、测试机构和置于衬底上的四个锚区；所述两组下极板沉积于衬底上表面，两组测试机构为尺寸材料完全相同的两组机构，通过测试机构的上极板覆盖下极板形成四个电容，利用电容之间连接形成的桥式电容，其中两个电容随应力大小会变化，另两个始终固定不变，构成检测差分电容的电容桥，使应力检测更加方便、精确。与普通的光学方法相比，检测无需大型设备，简单易行。
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公开(公告)号：CN102565143B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN103017942A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210516984.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种微机械系统中可动粱接触粘附的测量结构，包括衬底、十字梁、下拉电极、拉动电极和衬底接触电极阵列；十字梁由横梁和扭转支撑梁组成，扭转支撑梁连接在衬底上；衬底接触电极阵列采用离子注入的掺杂方式形成在衬底的顶面，衬底接触电极阵列包括至少三根相互平行布置的条形电极，每根条形电极的一端连接一个压焊块；下拉电极、拉动电极、衬底接触电极阵列均连接在衬底上，衬底接触电极阵列和下拉电极位于横梁同一侧下方；拉动电极位于横梁另一侧下方。该测量结构解决了一般条形电极所存在的表面高低起伏的问题，并且获得的可动粱接触粘附信息准确。同时，本发明还公开了该测量结构的测量方法，该测量方法简单易行。
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公开(公告)号：CN102980506A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210516099.1
申请日：2012-12-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力的测量结构，包括衬底、n个十字梁，下拉电极、呈阶梯形的第一衬底接触电极、n个衬底接触电极和拉动电极；每个十字梁均由横梁和扭转支撑梁组成；扭转支撑梁通过锚区连接在衬底上；下拉电极、第一衬底接触电极、n个衬底接触电极和拉动电极连接在衬底顶面，且拉动电极位于n个十字梁一测的下方，下拉电极和第一衬底接触电极位于n个十字梁另一侧的下方，n个十字梁下方对应的第一衬底接触电极的长度呈阶梯变化，每个十字梁的下方对应设置一个衬底接触电极，且各衬底接触电极靠近第一衬底接触电极。该测量结构能够获取微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力，且测量结果准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102565143A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN202404055U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201220010457.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构，包括第一测试单元、第二测试单元、第三测试单元和绝缘衬底，所述第一测试单元、第二测试单元和第三测试单元设置在绝缘衬底上；对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本实用新型的测试过程简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN202403836U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201220008090.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本实用新型的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN202502063U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201220004257.0
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，左下部多晶硅偏转指针和右下部多晶硅偏转指针结构完全相同，以测试结构竖直中心线左右镜向，上部多晶硅偏转指针位于中心，指针Ⅰ方向与下部的左右多晶硅偏转指针的指针Ⅱ、指针Ⅲ方向相反；整个测试结构制作在绝缘衬底上，除锚区及其上的金属电极外，在结构被释放后，驱动梁以及指针均处于悬浮状态，以便于释放残余应力并自由伸缩与偏转。本实用新型具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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