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公开(公告)号：CN103597122A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028631.3
申请日：2012-05-17
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B9/00 , B01D53/0407 , B01D53/685 , B01D2253/112 , B01D2256/26 , B01D2257/2047 , C01B7/20 , C25B1/245 , C25B15/08
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置（100），该氟气生成装置（100）包括：筒状构件（31a），其使主产气体流通；气体导入口（51a），其用于将上述主产气体导入到筒状构件（31a）；气体导出口（52a），其用于从筒状构件（31a）导出主产气体；吸附剂保持器（201），其以形成用于确保在筒状构件（31a）中流通的主产气体流路的空间的方式配置；搅拌叶片（202），其用于搅拌从气体导入口（51a）流入的主产气体；以及气流引导筒（203），其用于使主产气体在筒状构件（31a）内的空间中循环或者扩散。
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公开(公告)号：CN102762772A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080054728.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B1/245
Abstract: 本发明涉及通过将熔融盐中的氟化氢电解从而生成氟气的氟气生成装置，其包括：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；氟化氢供给源，其积存有用于补充到电解槽中的氟化氢；精制装置，其捕集从电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体并精制氟气；以及回收设备，其将用精制装置捕集的氟化氢输送到电解槽或氟化氢供给源并进行回收。
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公开(公告)号：CN101489928B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780025959.9
申请日：2007-06-05
Applicant: 中央硝子株式会社
Inventor： 八尾章史
CPC classification number: C09K3/1463 , C01B32/28 , C09K3/1472 , C09K5/10
Abstract: 本发明提供一种可在研磨剂、润滑剂、热交换流动介质等中使用的，经过120小时以上的长时间稳定的、而且20℃的粘度为3cP以上的氟化纳米金刚石分散液的配制方法。该分散液按如下配制，把氟化纳米金刚石与20℃的粘度为2.5cP以下的第1液体进行混合，配制悬浮液，把悬浮液进行分级，配制分级悬浮液，然后，把该分级悬浮液与20℃的粘度为4cP以上的第2液体进行混合。
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公开(公告)号：CN102369314A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014703.X
申请日：2010-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气，其包括：电解槽，其存储有熔融盐，在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室，该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体，该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体；原料供给通路，其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢；载气供给通路，其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路，该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中，作为载气，使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101489928A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025959.9
申请日：2007-06-05
Applicant: 中央硝子株式会社
Inventor： 八尾章史
CPC classification number: C09K3/1463 , C01B32/28 , C09K3/1472 , C09K5/10
Abstract: 本发明提供一种可在研磨剂、润滑剂、热交换流动介质等中使用的，经过120小时以上的长时间稳定的、而且20℃的粘度为3cP以上的氟化纳米金刚石分散液的配制方法。该分散液按如下配制，把氟化纳米金刚石与20℃的粘度为2.5cP以下的第1液体进行混合，配制悬浮液，把悬浮液进行分级，配制分级悬浮液，然后，把该分级悬浮液与20℃的粘度为4cP以上的第2液体进行混合。
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公开(公告)号：CN111886674B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980020982.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C01B7/24 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF5和IF7，IF5的含量相对于IF7整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。
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公开(公告)号：CN111279460B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201880068626.2
申请日：2018-10-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、七氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。
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公开(公告)号：CN115803313A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048843.7
申请日：2021-08-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C209/84
Abstract: 本公开的目的在于，提供一种使粗三烷基胺中的二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺、乙基异丙基胺的浓度降低的新型的方法。本公开为一种三烷基胺的纯化方法，其特征在于，使包含选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种作为杂质的粗三烷基胺与沸石接触，使上述粗三烷基胺中的选自由二甲胺、二乙胺、乙基丙基胺和乙基异丙基胺组成的组中的至少一种的浓度比上述沸石接触前降低。
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公开(公告)号：CN115315786A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180020720.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种硅氧化物的干蚀刻方法，其特征在于，其是使气体的氟化氢及气体的有机胺化合物、气体的有机胺化合物的氟化氢盐、或气体的氟化氢、气体的有机胺化合物及气体的有机胺化合物的氟化氢盐与硅氧化物反应的干蚀刻方法，上述有机胺化合物为包含下述通式(1)所示的化合物中的至少2种的有机胺混合物。R1‑N＝R2R3···(1)(通式(1)中，N为氮原子。R1为碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。R2、R3为氢原子或碳数1～10的、任选具有环、杂原子、卤素原子的烃基。其中，烃基在碳数为3以上时，任选形成支链结构或环状结构。烃基的杂原子为氮原子、氧原子、硫原子或磷原子。进而，R1和R2均为碳数1以上的烃基时，R1与R2任选直接键合而形成环状结构。进而，R1或R2以双键直接键合而形成环状结构时，任选形成芳香环而不存在R3。另外，R1、R2及R3任选为相同的烃基或不同的烃基。)。
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