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公开(公告)号：CN112397665B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011222393.2
申请日：2020-11-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置有机电致发光器件及其制备方法，通过增强电子注入提升倒置有机电致发光器件性能。其倒置有机电致发光器件结构包括ITO基板、掺杂型电子注入层、能级匹配层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；本发明具体通过溶液工艺用氟化铯的甲醇溶液对二氧化锡溶液进行处理，所制备的氟化铯掺杂二氧化锡纳米颗粒薄膜相较于未处理二氧化锡薄膜电子迁移率得到提升。将其用做倒置有机电致发光器件的电子注入层，使相较于未处理二氧化锡薄膜做电子注入层的器件，本发明器件电子电流升高，驱动电压降低。本发明掺杂型电子注入层由工艺简单的溶液法制备获得，为实现低驱动电压、高效率的倒置溶液加工OLED器件提供了有效方案。
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公开(公告)号：CN115167253A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211038376.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及智能农业大棚通信系统，具体是一种基于融合通信方案的智能农业大棚通信系统。本发明解决了现有智能农业大棚通信系统布局成本高、组网复杂的问题。一种基于融合通信方案的智能农业大棚通信系统，包括若干个大棚、安装于各个大棚之间的单个网关设备；每个大棚外部均安装有一个或两个协调器，且协调器通过LoRa与网关设备无线连接；每个大棚内部均安装有若干个采集节点，且采集节点通过nRF24L01与对应大棚外部的协调器无线连接；每个大棚内部均安装有若干个控制节点，且控制节点通过nRF24L01与对应大棚外部的协调器无线连接。本发明适用于智能农业大棚。
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公开(公告)号：CN113013252B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110191415.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN114597256A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210219208.7
申请日：2022-03-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。
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公开(公告)号：CN114361375A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210007904.1
申请日：2022-01-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种低温彩色滤膜显示面板的制备方法，涉及显示材料技术领域。本发明将滤膜层直接制备在生长了发光材料层、阴极层和阻隔封装层的驱动背板像素电极上，通过固化温度的降低在保证固化效果的同时保证了发光材料层等膜层的性能，大幅提升了显示面板的寿命；本发明采用一体化工艺制备减少了片间的对位工艺误差，降低了工艺难度及设备成本投入，提升了显示面板分辨率。而且，采用本发明的方法由于减少了封装胶膜层，使显示面板的整体厚度大幅下降，显示面板更加轻薄。本发明采用多层增透层叠加制备增透射层，可提升显示面板的显示效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114050208A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111331707.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种改进的高电子迁移率发光晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管HEMT区，设置于所述基板上；氮化镓发光二极管LED区，设置于所述基板上。HEMT区和LED区均包括至少一层2DEG层，且HEMT区和LED区通过2DEG层连接；HEMT区还包括栅极；栅极为三维鳍式结构，且由上而下包裹HEMT区中的2DEG层，用于控制LED区是否发光以及发光强度。本发明采用三维鳍式栅极结构，栅极包裹在2DEG层形成的导电沟道的三侧，以控制整个HEMT区导电沟道的开通和关断，进而控制LED区是否发光以及发光强度。
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公开(公告)号：CN110976250B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911366805.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种闪烁体制备方法，所述闪烁体制备方法包括：喷头模块在基板上打印一滴墨水，获取所述墨水的直径值与标准值；将所述直径值与所述标准值进行对比，当所述直径值与所述标准值不同时，调整所述喷头模块的输出电压值，并返回步骤：喷头模块在基板上打印一滴墨水，获取所述墨水的直径值与标准值；当所述直径值与所述标准值相等时，喷头模块按照待制备闪烁体图案在基板上打印下一滴墨水并固化为胶体，重复这一步骤直至待制备闪烁体图案打印完成。本发明闪烁体制备方法通过喷墨打印的方式，实现了大面积闪烁体的一次制备成型，提高了闪烁体的制备效率，制成的闪烁体的密度高，分辨率高，很好的抑制了光的横向传播。
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公开(公告)号：CN111610234B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010644636.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法。本发明提供的场效应晶体管丙酮气体传感器，包括依次层叠设置的绝缘衬底、栅电极层、栅电极绝缘层、有源层和电极层；所述电极层包括源电极和漏电极；所述有源层的材料为异质结结构的n‑In2O3/p‑CuO复合金属氧化物纳米纤维。本发明采用常见的半导体材料In2O3和CuO，使所述气体传感器具有良好的电导率和物理化学稳定性；所述气体传感器采用In2O3和CuO构建异质结结构，增加了气体催化活性，有利于提高气体传感器的传感性能，促进实用化；所述气体传感器以纳米纤维场效应晶体管为平台，功耗低，敏感性高。
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公开(公告)号：CN112802863A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110080249.8
申请日：2021-01-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像传感器领域，尤其涉及图像传感器及其制备方法。所述制备方法，包括：在TFT像素阵列结构的工作面溅射底电极，得到底电极层；采用溶液涂布的方法，在底电极层的表面依次制备导电传输层、有机活性层和透明顶电极层后；在透明顶电极层的表面沉积封装层，得到图像传感器；导电传输层的材料为无机纳米晶材料和/或聚乙氧基乙烯亚胺；所述无机纳米晶材料包括ZnO、Al:ZnO和SnO2中的一种或几种；有机活性层的材料包括聚合物半导体材料，还包括富勒烯衍生物或非富勒烯衍生物；透明顶电极层的材料为PEDOT:PSS。所述制备方法无需真空沉积系统，无需光刻图案化过程，能够实现大面积的图像传感器的制备。
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公开(公告)号：CN112358612A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202010781435.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种含偕二氟亚甲基的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。该薄膜的结构式为：其中R1为： R3为：所述的m＝(0—10),n＝(10—1)；R为H或甲基，X为氧、亚甲基或零；所述的R2为：本发明所得的薄膜具有高耐热性，玻璃化转变温度在200℃以上，具有高机械强度，拉伸强度最高为36.26MPa，低热膨胀系数最低为14.5μm/(m·℃)。
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