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公开(公告)号：CN114874473A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210392559.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 上海大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种含有复合阻燃剂的聚氯乙烯复合材料及其制备方法，该复合材料为含有植酸锡包覆羟基锡酸锌复合阻燃剂的聚氯乙烯复合材料，其制备包括以下步骤：S1：分别按照如下重量份比例制备原料：PVC树脂100份，植酸锡包覆羟基锡酸锌复合阻燃剂12～15份，苯二甲酸二辛酯40～50份，硬脂酸0.5～1份，硬脂酸钙0.5～1份，Ca‑Zn稳定剂2～5份；S2：密炼成片：将上述原料混合均匀，加入到密炼机上密炼；S3：硫化冷压：将片状材料转入平板硫化机，热压，而后冷压，即得到含有复合阻燃剂的聚氯乙烯材料。本发明的制备过程简洁，降低锡基阻燃剂的加入量，在软质PVC中有表面改性作用，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113013252B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110191415.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供了一种突触晶体管，包括自下而上依次设置的有源层、绝缘层、栅极、易失电子层、感应电极1、易得电子层、感应电极2和基板；所述有源层为长方体；所述绝缘层包覆于所述有源层顶面的中部和两个相对侧面的中部；所述栅极包覆于所述绝缘层的表面；所述有源层顶面的两端未包覆绝缘层的部分分别设有漏电极和源电极；所述栅极的上表面依次接触设置易失电子层和感应电极1；所述基板的下表面依次接触设置感应电极2和易得电子层；所述栅极和基板之间垂直设置有支撑柱，使易得电子层与感应电极1之间形成空隙。
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公开(公告)号：CN111610234B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010644636.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法。本发明提供的场效应晶体管丙酮气体传感器，包括依次层叠设置的绝缘衬底、栅电极层、栅电极绝缘层、有源层和电极层；所述电极层包括源电极和漏电极；所述有源层的材料为异质结结构的n‑In2O3/p‑CuO复合金属氧化物纳米纤维。本发明采用常见的半导体材料In2O3和CuO，使所述气体传感器具有良好的电导率和物理化学稳定性；所述气体传感器采用In2O3和CuO构建异质结结构，增加了气体催化活性，有利于提高气体传感器的传感性能，促进实用化；所述气体传感器以纳米纤维场效应晶体管为平台，功耗低，敏感性高。
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公开(公告)号：CN112927764A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110235932.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 上海大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种目标阻燃高分子复合材料制备模型的设计方法，包括以下步骤：（1）构建高分子阻燃复合材料基因库；（2）将目标阻燃高分子复合材料的性能数据输入变化适配模型；（3）选取最匹配的材料试样阻燃性能数据；（4）获取最匹配的制备工艺参数和阻燃高分子原料数据；（5）变化适配模型生成目标阻燃高分子复合材料制备模型，用来制备该目标阻燃高分子复合材料。本发明还提供了实施该方法的设计系统。本发明采用材料基因与人工智能，针对新的要求具备特定阻燃性能的高分子复合材料，先通过系统进行快速匹配、获得最优的原料配比和工艺参数制备模型，然后再进行实际试验，可大幅提升开发效率、成功率并降低成本。
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公开(公告)号：CN112321949A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011385188.8
申请日：2020-12-02
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心 , 上海大学
IPC: C08L23/12 , C08L23/06 , C08L25/06 , C08L67/02 , C08L67/04 , C08K13/06 , C08K9/10 , C08K3/22 , C08K5/3492 , C08K3/32
Abstract: 本发明提供一种协同阻燃热塑性聚合物复合材料及其制备方法，其由如下质量百分比的组分制成：热塑性聚合物树脂80%、膨胀阻燃剂15~19.5%、协同阻燃剂0.5~5%；本发明是将热塑性聚合物树脂、膨胀阻燃剂、双氢氧化物包覆锡基氧化物协同阻燃剂混合均匀，通过熔融共混、挤出、造粒、烘干即得到双氢氧化物包覆锡基氧化物协同阻燃热塑性聚合物复合材料；其氧指数可达到42%，阻燃等级可达到UL‑94的V‑0等级，其中的双氢氧化物包覆锡基氧化物均提高了双氢氧化物和锡基氧化物的分散性，双氢氧化物包覆锡基氧化物协同阻燃热塑性聚合物的复合材料既具有优异的阻燃性能，也具有抑烟抑毒效果，不会释放有害物质，环保性好。
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公开(公告)号：CN111682077A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010609257.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种突触晶体管及其制备方法，所述突触晶体管从外到里依次包括：带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层和有源层；所述绝缘层设置在所述栅极层的凹槽内，所述有源层设置在所述绝缘层的凹槽内；所述有源层上设置有源电极和漏电极。本发明采用带有凹槽的凹字形的栅极层和带有凹槽的凹字形的绝缘层，通过栅极对导电沟道成半包围结构，使栅极可以从三个方向对导电沟道进行控制，克服了晶体管栅极只能在一个方向上控制沟道电流，栅极对导电沟道的控制能力不强的技术缺陷，极大地提升了栅极对沟道电流的控制能力，提高突触晶体管的性能，实现了在保证性能的同时缩小特征尺寸。
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公开(公告)号：CN106252394B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610754922.0
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有成分缓变有源层结构的氧化物薄膜的场效应晶体管器件及其制备方法，属于薄膜晶体管器件技术领域。缓变结构氧化物有源层所采用结构为：ZnSnO/ZnSnO:X%HfO2/ZnSnO:Y%HfO2其中（X
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公开(公告)号：CN110299463A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910564361.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于非掺杂超薄发光层的高色稳定性的白光有机薄膜电致发光器件及其制备方法。器件结构依次为基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光超薄发光层、双极性间隔层、绿光超薄发光层、双极性间隔层、橙光超薄发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。本发明器件将不同颜色的发光材料制备于同一双极性材料的不同区域内，解决了多发光层的高驱动电压的问题。本发明采用了超薄非掺杂的发光体系，避免了掺杂浓度难以控制的问题，简化了工艺流程，降低了生产成本。本发明通过调整位于阳极位置的蓝光发光层和位于阴极位置的橙光发光层的厚度比例可以有效控制光谱的稳定性，从而得到工作电压下色坐标变化为（0.001，0.0005）的稳定白光器件。
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公开(公告)号：CN109893132A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910274525.7
申请日：2019-04-08
Applicant: 上海大学
IPC: A61B5/0488 , A61B5/0492
Abstract: 本发明公开了一种表面肌电信号采集系统，包括：采集单元，与皮肤表面接触，用于采集多路表面电信号和一路基准电信号；处理单元，与采集单元连接，用于将采集的多路所述表面电信号和一路基准电信号合并为多路表面肌电信号，进行并串转换；其中，处理单元包括开关矩阵模块，与所述采集单元连接，用于将合并的多路表面肌电信号进行并串转换，得到为一路表面肌电信号。本发明提供的一种表面肌电信号采集系统，能够实现表面肌电信号的多通道采集，成本低的目的。
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公开(公告)号：CN105742172A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610225855.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/283 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L21/283 , H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极、漏极、钝化层构成底栅结构，并在金属氧化物半导体有源层中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层，形成复合有源功能层。在本发明薄膜晶管器件的各结构中，采用正电荷阻挡层能有效地抑制在光照偏压下空穴向绝缘层/有源层界面处移动，提升薄膜晶体管器件的稳定性，同时使得金属氧化物薄膜晶体管的迁移率不受影响。这种结构容易实现且制备方法简单，同时还能有效地避免氧化物薄膜在刻蚀过程中造成的损伤。适用于大面积制备，可在基于氧化物薄膜晶体管的平板显示器件中获得广泛应用。
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