-
公开(公告)号：CN117965724A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311595160.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 上海市松江区中心医院(上海交通大学附属第一人民医院松江分院)
IPC: C12Q1/6886 , C12Q1/6851 , C12N15/113
Abstract: 本发明属于生物基因疾病诊断技术领域，且公开了一种新型胃癌诊断标志物，标志物环状RNA hsa_circ_0022168部分序列的大小为349bp；以cDNA为模板，PCR扩增环状RNA hsa_circ_0022168的环化接口两侧的部分序列。本发明通过对RNA进行提取，逆转录成CDNA，并设计反向扩增PCR引物扩增circ‑ERBB2接口及侧翼序列DNA测序验证，实现对hsa_circ_0022168的鉴定，采用荧光定量PCR扩增进行检测，这些结果说明hsa_circ_0022168既可以作为胃癌诊断的标志物，也可以作为胃癌治疗的潜在方式。
-
公开(公告)号：CN117059631A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210518652.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/18
Abstract: 一种基于晶圆到晶圆键合的异质光电融合集成芯片自下而上依次为：硅衬底层、二氧化硅层、硅薄膜层、锗薄膜层、第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层和掺杂铌酸锂薄膜层。通过将光电子器件与电子电路集成在同一衬底上，大幅减少了光电系统的尺寸，增加了系统的稳定性；基于掺杂铌酸锂材料，在充分发挥铌酸锂优异电光性能的同时，做片上光放大，从而使调制器达到无损甚至有增益，并有效提升系统带宽；二氧化硅隔离层，提升了晶圆间的键合力，大幅提升芯片的稳定性和产品良率。本发明发挥了氮化硅材料低损耗、低偏振敏感度、高工艺容忍度、硅材料高折射率和是直接带隙半导体的优势，实现了高性能的异质光电融合集成芯片。
-
公开(公告)号：CN116841063A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210321287.2
申请日：2022-03-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 硅‑氧化硅‑铌酸锂高带宽电光调制器及集成方法，晶圆从下到上分别为硅衬底层、氧化硅隔离层、铌酸锂薄膜层、氧化硅缓冲层与硅薄膜层；电光调制器包括多模干涉仪、模斑转换器、电光移相臂、行波电极和热电极。本发明通过多次刻蚀形成了常规硅波导、薄硅波导与氧化硅波导，通过金属沉积形成了行波电极和热电极。氧化硅层作为缓冲层缓解了硅晶圆与铌酸锂晶圆之间的热失配与晶格失配，提升了在基于硅‑氧化硅‑铌酸锂晶圆的电光调制器的可靠性与良率，并且为电光调制器的设计提供了新的自由度。本发明与CMOS工艺兼容，并且发挥了硅、氧化硅、铌酸锂三种材料的优势，有利于提高集成的紧凑度、可靠性。
-
公开(公告)号：CN111273464B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010111301.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 上海交通大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于铌酸锂‑硅晶圆的光电单片集成系统包含集成光路模块、光电转换模块与集成电路模块通过半导体CMOS工艺集成在同一衬底上，避免了模块间的封装。实现真正的单片集成，分别进行光信号的传输与处理、光信号转换为电信号、电信号的传输与处理。本发明发挥了铌酸锂材料优异的电光性能与硅基材料的优势，从而使得光电系统具备更优异的性能。
-
公开(公告)号：CN110161625B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910410940.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明的目的在于针对现有技术的不足，提出一种大规模的硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的集成方法。利用该方法减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109254350B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201811257377.X
申请日：2018-10-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种平铺型光子神经网络卷积层芯片，该芯片通用于所有包含了卷积层的神经网络计算。将待运算的数据通过光幅度在光子集成器件中进行表示，并且通过光子集成器件的级联和组网，形成数据运算的功能，并将运算结果实时输出。利用光子集成器件的可调性，可以将任意的信号调制在光幅度上，实现了任意待卷积信号的卷积计算。由于光子信息处理的速度均是常数级(即光速)，可以将传统计算机架构的卷积计算提升数个数量级。同时具有能耗比的优势。
-
公开(公告)号：CN103915528B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410124033.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜的合成方法，包括以下步骤：（1）配制电解液：将铜盐、锌盐、锡盐、硫代硫酸钠、柠檬酸三钠和酒石酸分别溶解到水中，然后再混合，混合均匀后调节pH值；（2）清洗基片：金属Mo片作为基片，用氢氧化钠溶液擦拭表面，除去表面锈迹，然后在乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗，除去表面油渍；（3）电化学沉积：将清洗好的基片放入已经配制好的电解液中，设定沉积电压和时间并开始，沉积结束后将基片取出，用大量的去离子水和乙醇冲洗并吹干；（4）将步骤（3）得到的样品在氮气或者氩气中煅烧1小时，得到铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜。此方法成本低，过程简单，所制得的样品性能优良。
-
公开(公告)号：CN104388951B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410682495.0
申请日：2014-11-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起，放在热压炉中；对热压炉抽真空，待真空度达到设定值，对热压炉升温，当温度达到设定值时，开始施加压力并保压；将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理；扩散合金片为低熔点共晶扩散合金，表示为R‑TM，R为Sc、Y、La、Ce、Pr或Nd中的一种或几种，TM为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种。与现有技术相比，按照本发明提供的加压扩散方法改性后的烧结钕铁硼磁体具有扩散剂扩散深度大，晶界相分布均匀，矫顽力高等优点。特别是本发明设计出的低熔点扩散合金不含贵重的重稀土元素镝，原料成本相对低廉，扩散温度低，扩散过程中能耗少。
-
公开(公告)号：CN106410577A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610910788.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: G02F1/39 , G02F2001/392 , H01S3/0057 , H01S3/0092 , H01S3/06758 , H01S3/10023 , H01S3/1024
Abstract: 一种温度和波长不敏感光参量啁啾脉冲放大器，由泵浦光路、信号光路和放大器构成，泵浦光路包括掺钕钒酸钇再生放大器、掺钕钇铝石榴石放大器、第一像传递系统和倍频晶体；信号光路包括钛宝石再生放大器，脉冲展宽器和脉冲压缩器；放大器是非线性晶体放大器。特点在于：所述的啁啾信号光束与所述的泵浦光束以大于5°的非共线角度入射到所述的非线性晶体放大器；通过第一光栅的刻线数的优化，对所述的信号光束的角色散修饰。本发明具有光参量啁啾脉冲放大器对于温度和波长均不敏感的优点，为同时提升超短超强激光系统的峰值功率和平均功率铺平了道路。
-
公开(公告)号：CN103894607B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410165910.5
申请日：2014-04-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种各向异性环形磁体的模具，包括上模和下模；上模包括环形上冲头、设于环形上冲头内的带模芯上冲头，两者顶部设有垫板，垫板上方设有上底座；下模包括阴模支撑圈、设于阴模支撑圈内的环形下冲头，两者均设于下底座上，阴模支撑圈上方设有环形阴模；环形上冲头外壁与环形阴模内壁配合，带模芯上冲头的模芯外壁与环形下冲头内壁配合。本发明还提供一种各向异性环形磁体的成型方法：将磁性粉末填充到本发明的模具的带模芯上冲头、环形上冲头以及环形阴模形成的空腔中，然后在真空或惰性气体环境中进行热压工艺以及热变形工艺，将各向异性环形磁体加工成型。本发明使热压工艺和热变形工艺连续进行，生产效率高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.036 seconds)
