公开(公告)号：CN118859561A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410969884.5

申请日：2024-07-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 邹卫文 ,  杨皓如 ,  王静 ,  熊妮娜

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225

Abstract: 一种基于周期性波导结构的高效率硅‑铌酸锂调制器。该方法无需刻蚀铌酸锂晶圆，通过刻蚀顶层硅薄膜形成中心硅波导和周期性波导从而控制光波传输。本发明在顶层硅波导周围增加周期性波导的方式，增添了新的自由度，用于实现精细调控电光调制器的光场分布，使得光场紧密束缚在硅‑铌酸锂混合波导中。相较传统硅‑铌酸锂调制器，本发明中的周期性调制器光场的横向面积与倏逝波大幅减小，利于降低电极损耗，实现性能优异的高效率电光调制器。

公开(公告)号：CN117059631A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202210518652.9

申请日：2022-05-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 邹卫文 ,  杨皓如 ,  王静

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/18

Abstract: 一种基于晶圆到晶圆键合的异质光电融合集成芯片自下而上依次为：硅衬底层、二氧化硅层、硅薄膜层、锗薄膜层、第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层和掺杂铌酸锂薄膜层。通过将光电子器件与电子电路集成在同一衬底上，大幅减少了光电系统的尺寸，增加了系统的稳定性；基于掺杂铌酸锂材料，在充分发挥铌酸锂优异电光性能的同时，做片上光放大，从而使调制器达到无损甚至有增益，并有效提升系统带宽；二氧化硅隔离层，提升了晶圆间的键合力，大幅提升芯片的稳定性和产品良率。本发明发挥了氮化硅材料低损耗、低偏振敏感度、高工艺容忍度、硅材料高折射率和是直接带隙半导体的优势，实现了高性能的异质光电融合集成芯片。