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公开(公告)号：CN106099181B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510210602.4
申请日：2015-04-28
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 离子液体聚合物、电解质和锂电池。提供了一种聚合物，所述聚合物由式(1)所示的离子液体和式(2)所示的多巯基化合物在紫外光照射下通过硫‑烯/炔点击反应制得：
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公开(公告)号：CN106279470B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610640655.4
申请日：2016-08-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超支化聚醚胺的两亲性高分子夺氢型光引发剂及其制备方法。采用简单的方法将小分子夺氢型光引发剂引入到含共引发剂胺的超支化聚醚胺链上，制备出一种新型的两亲性高分子光引发剂。本发明的光引发剂主链上含有光引发剂和共引发剂胺，有利于两者之间的能量转移，能够更快更好的产生自由基活性种，提高光引发效率，具有较好的引发性能。同时由于超支化聚醚胺的引入，其与各种溶剂都具有很好的相容性，尤其在水溶液中有优异的引发性能，使得超支化聚醚胺的两亲性高分子夺氢型光引发剂更加符合环保实用的水溶液引发的发展趋势。在涂料、油墨、光刻胶、微电子、光致抗蚀剂、粘合剂等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106662811A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580040011.5
申请日：2015-07-22
CPC classification number: G03F7/031 , B32B27/00 , B32B27/08 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B37/0053 , B32B37/203 , B32B38/10 , B32B2250/24 , B32B2250/244 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2310/0831 , B32B2323/04 , B32B2367/00 , B32B2457/202 , C08F2/50 , G03F7/11
Abstract: 本发明为一种感光性树脂组合物，其含有粘合剂聚合物、光聚合性化合物和光聚合引发剂，所述光聚合引发剂含有下述通式(1)所示的化合物，式(1)中，R1、R2、R3及R4各自独立地表示烷基、芳基、芳烷基、‑OR5、‑COOR6或‑OCOR7，R5、R6及R7各自独立地表示烷基、芳基或芳烷基。
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公开(公告)号：CN104844736B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510216028.3
申请日：2015-04-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08F2/48 , C08F220/22 , C08F222/24 , C08F222/22 , C08F220/14 , C08F212/08 , C08F212/32 , C08F220/34 , C08F214/18 , C08F220/56 , C08F222/20 , C08F214/06 , C08F220/30 , C08F220/18 , C08F220/44
Abstract: 本发明公开了一种氟化夺氢型高分子光引发剂、制备方法及其应用。其采用含光引发剂的烯烃基单体、含共引发剂胺的烯烃基单体、含氟碳链的烯烃基单体以及普通的烯烃基单体进行自由基共聚反应制备得到。本发明的氟化夺氢型高分子光引发剂将小分子的共引发剂胺和光引发剂连接在大分子链上，既克服了传统小分子光引发剂易迁移、黄变、稳定性差等缺陷，也提高了光引发效率；同时氟化的高分子光引发剂，由于氟原子的超低表面能和超低表面张力使得其能够在表面自组装，形成一层自上而下浓度逐渐减小的梯度自组装层，表层的光引发剂相对体层富集，能够优先发生光聚合形成一个阻隔氧气扩散进入光聚合体系的薄膜层，从而有较好的抗氧阻聚效果。
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公开(公告)号：CN102395924B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080017169.8
申请日：2010-04-26
IPC: G03F7/031 , C07D241/42 , C08F2/50 , C08F220/06 , G03F7/004 , G03F7/033 , H05K3/00
CPC classification number: C07D241/42 , C08F220/06 , G03F7/031
Abstract: 一种感光性树脂组合物，含有粘合剂聚合物、具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物和选自由具有下述式(1)、(2)或(3)所示的结构的化合物组成的组中的至少1种吡嗪化合物。[式(1)～(3)中，R1～R12各自独立地表示包含烷基、环烷基、苯基、萘基或杂环式基的1价有机基团，R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10、或者R11和R12可以相互结合而与吡嗪骨架的2个碳原子一起形成环。式(2)中，X和Y各自独立地表示构成与吡嗪骨架的2个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环的原子群，式(3)中，Z表示构成与吡嗪骨架的4个碳一起形成的单环结构或缩合多环结构的芳香族环、或者杂环的原子群。]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103087087A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110332455.X
申请日：2011-10-27
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0275 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH，m表示3～12的整数；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基，所述取代基为卤素，n表示1～12的整数；该组合物是一种高憎水性光刻胶，将其应用于纳米压印模板的制备中，会得到高精度的结构，提高了模板重复利用率。
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公开(公告)号：CN102174059B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110042711.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。
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公开(公告)号：CN101738861B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810175780.8
申请日：2008-11-10
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及感光性树脂组合物以及使用其的印刷电路板的制造方法，所述树脂组合物包含(A)粘合剂聚合物、(B)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物、(C1)以下述通式(1)表示的苯乙烯基吡啶化合物；式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示碳数1～20的烷基、碳数1～6的烷氧基、碳数1～6的烷基酯基、氨基、碳数1～20的烷基氨基、羧基、氰基、硝基或(甲基)丙烯酰基，m和n分别独立地表示1～3的整数，a、b和c分别独立地表示0～5的整数。
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公开(公告)号：CN102432699A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110253709.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08F2/48 , C07D335/16
Abstract: 本发明公开了一种基于植物油的光引发剂及其制备方法。采用简单的方法将小分子夺氢型光引发剂和共引发剂胺引入到植物油的甘油三脂的链上，制备出一种新型的光引发剂。制备方法简单，原料易得，而且植物油是可再生资源。所得光引发剂主链上面同时含有光引发剂和共引发剂胺，有利于两者之间的能量转移，能够更快更多地产生自由基活性种，提高了光引发效率，具有较高的光引发性能。由于长链烷基的引入与许多溶剂和单体都有很好的相容性，而且迁移率低，毒性小，环境兼容性好。在涂料、油墨、微电子、光致抗蚀剂、齿科材料等方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102174059A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110042711.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)，其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。
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