公开(公告)号：CN113764521A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110593985.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 迫纮平 ,  高桥彻雄 ,  藤井秀纪

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/861

Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁而设置。

公开(公告)号：CN103311121B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210434810.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及纵型沟槽IGBT及其制造方法，提高纵型沟槽IGBT的RBSOA耐受性。在n－型Si基板1）上形成p型体层（3）。形成贯通p型体层（3）的沟槽，在沟槽内隔着栅极绝缘膜（5）形成沟槽栅极（4）。在p型体层（3）上形成包含n型杂质的多晶硅膜（16）。使n型杂质从多晶硅膜（16）向p型体层3）扩散，在p型体层（3）上形成n型发射极层（6）。在n－型Si基板（1）的下表面形成p型集电极层13）。

公开(公告)号：CN101640222B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910137163.3

申请日：2009-05-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: PIN二极管具备n-漂移层(6)、p阳极层(8)、n缓冲层(12)、n+层(16)、表面电极(14)和背面电极(18)。n+层(16)的杂质浓度具有台阶形分布，从第二主表面到规定深度大致一定。n缓冲层(12)的杂质浓度从n+层(16)到n-漂移层(6)缓慢地减少。n-漂移层(6)的杂质浓度反映半导体衬底的杂质浓度，相对于深度方向大致一定。p阳极层(8)的杂质浓度从第一主表面到n-漂移层(6)比较急剧地减小。从而，获得按照所适用的产品得到高精度的所希望的特性的半导体装置。