存储器件和包括其的数据存储系统

    公开(公告)号:CN114388489A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111199098.4

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 一种存储器件,包括:第一结构;以及在第一结构上的第二结构,其中第一结构包括:第一基板;在第一基板上的外围电路;第一绝缘层,覆盖第一基板和外围电路;第一接合焊盘,在第一绝缘层上,第二结构包括:第二基板;在第二基板的第一表面上的存储单元阵列;第二绝缘层,覆盖第二基板的第一表面和存储单元阵列;导电图案,至少部分地从第二基板的第二表面凹入;以及第二接合焊盘,在第二绝缘层上,第一接合焊盘接触第二接合焊盘,导电图案与第二绝缘层间隔开。

    非易失性存储器件和非易失性存储系统

    公开(公告)号:CN114284294A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111045455.1

    申请日:2021-09-07

    Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统,所述非易失性存储器件包括:衬底,沿第一方向延伸;接地选择线,在所述衬底上沿所述第一方向延伸;多条字线,顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸;定位焊盘,在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开;后接触插塞,连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;前接触插塞,连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸;输入/输出焊盘,电连接到所述后接触插塞;以及上接合焊盘,电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。

    包括支撑件的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN113140571A

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202011336334.8

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括:衬底,其包括单元区和连接区。连接区包括多个焊盘区和贯穿电极区。水平导电层位于衬底上。支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。

    显示设备
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112824959A

    公开(公告)日:2021-05-21

    申请号:CN202011267377.5

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 一种显示设备,包括:光源阵列,布置有通过局部调光来发射光的多个光源;颜色转换层,包括将发射的光转换为特定颜色的光的颜色转换颗粒,并且被配置为通过使用转换的光来发射白光;显示面板,被配置为通过使用白光来产生图像;以及选择性透射构件,布置在光源阵列与颜色转换层之间。选择性透射构件被配置为将光透射到颜色转换层,并且避免将颜色转换层中的光透射到光源阵列。

    三维半导体存储器件
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112563281A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202010616669.9

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件,该三维半导体存储器件包括:衬底,包括单元阵列区域和连接区域;堆叠,包括顺序地堆叠在衬底上的第一堆叠和第二堆叠,该堆叠在堆叠连接区域上具有阶梯结构,第一堆叠和第二堆叠中的每一个包括竖直地堆叠在衬底上的导电图案;以及接触插塞,设置在连接区域上并分别耦接至导电图案。每个接触插塞的底表面位于相应的导电图案的顶表面和底表面之间。在每个堆叠中,当从相应的导电图案的顶表面测量时,每个接触插塞的凹陷深度在导电图案的堆叠方向上单调变化。与第一堆叠的最上导电图案和第二堆叠的最下导电图案耦接的接触插塞具有离散的凹陷深度。

    接口设备、视频处理设备和数据通信方法

    公开(公告)号:CN1893604A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610084461.7

    申请日:2006-05-23

    Inventor: 姜珉求 金智源

    CPC classification number: G06F5/06

    Abstract: 一种在第一电路装置和以第一串行通信速度与外部装置通信的第二电路装置之间的接口设备,包括:第一缓冲器单元,用于在其中存储从第二电路装置发送的数据;第二缓冲器单元,用于在其中存储从第一电路装置发送的数据;并行通信单元,用于进行第二电路装置与第一缓冲器单元和第二缓冲器单元之间的并行通信;和串行通信单元,用于以快于第一串行通信速度的第二串行通信速度来进行第一电路装置与第一缓冲器单元和第二缓冲器单元的串行通信。根据该配置,可以提高电路装置之间的数据发送速度。

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