公开(公告)号：CN107359165A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710320519.1

申请日：2017-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  宋旼莹 ,  姜信焕

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11556

Abstract: 一种垂直存储器件包括：在衬底上的下电路图案，在下电路图案上在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开的多个栅电极，在第一方向上延伸穿过栅电极的沟道，包括在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸的第一公共源线(CSL)的存储单元块，以及连接到下电路图案和第一CSL并在第一方向上重叠第一CSL的第一接触插塞。