公开(公告)号：CN105143309B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480022616.7

申请日：2014-05-09

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 福川健一 ,  冈崎真喜 ,  坂田佳广 ,  浦上达宣 ,  大久保敦

IPC: C08G73/10 ,  C08K3/00 ,  C08L79/08

CPC classification number: C08G69/26 ,  C08G69/48 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1053 ,  C08G73/1064 ,  C08G73/1082 ,  C08J5/18 ,  C08J2377/06 ,  C08J2379/08 ,  C08K3/013 ,  C08L77/06 ,  C09D177/06 ,  C09D179/08 ,  C08K3/0033 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐热性和无色透明性优异，柔软性和紫外线透过性也优异的聚酰亚胺。制作的聚酰亚胺包含R为特定的芳香族基团的下述式(1a)所表示的结构单元和下述式(1b)所表示的结构单元。

公开(公告)号：CN105073851A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019214.1

申请日：2014-04-01

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 浦上达宣 ,  冈崎真喜 ,  福川健一 ,  坂田佳广 ,  大久保敦

IPC: C08J5/18 ,  B32B27/34 ,  C08G73/10

CPC classification number: C08G73/1067 ,  B32B3/08 ,  B32B27/281 ,  B32B2457/20 ,  C08G73/1071 ,  C08G73/126 ,  C08J5/18 ,  H01L27/323 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0096

Abstract: 本发明的课题是提供一种厚度方向的相位差小、且线膨胀系数低的聚酰亚胺膜、和用于获得该聚酰亚胺膜的聚酰胺酸或清漆。为了解决上述课题，而提供一种聚酰亚胺膜，其包含使二胺成分和四羧酸二酐成分反应而成的聚酰亚胺，且线膨胀系数在100℃～200℃为35ppm/K以下，厚度方向的相位差的绝对值在厚度为10μm时为200nm以下，玻璃化温度为260℃以上，总透光率为85％以上。

公开(公告)号：CN1561567A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819066.1

申请日：2002-09-25

Applicant: 三井化学株式会社 ,  古河电气工业株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  冈田知 ,  藤本毅 ,  小矶武 ,  室清文 ,  大久保典雄 ,  大木泰

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0652 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/146 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供半导体激光元件，其振荡激光的振荡波长稳定、振荡频谱为多模式，具备有由量子阱结构构成的活性层的层结构，且利用返回光的作用产生稳定波长的激光振荡，是其振荡频谱为多模式的Fabry－Perot型半导体激光元件，设每1层阱层的光限制系数为Γ、1层阱层的厚度为d(nm)时，则Γ与d之间满足下式：Γ/d≤1.3×10－3nm－1的关系。

公开(公告)号：CN1114979C

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN98120556.9

申请日：1998-09-18

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  内藤由美 ,  大久保敦 ,  山田义和

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/00

Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28，光导层的带隙比有源层25宽；形成一对覆层22，29，能使有源层25和光导层23、28夹在其间，覆层的带隙比光导层23和28的宽；一对载流子阻断层24，26分别设置在有源层25和光导层23、28之间，载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽；使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中，电流阻断层27通过选择生长而形成。

公开(公告)号：CN1213199A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98120556.9

申请日：1998-09-18

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 藤本毅 ,  内藤由美 ,  大久保敦 ,  山田义和

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/00

Abstract: 在自对准结构半导体激光器中分别在有源层25的两面设置一对光导层23和28,光导层的带隙比有源层25宽;形成一对覆层22,29,能使有源层25和光导层23、28夹在其间,覆层的带隙比光导层23和28的宽;一对载流子阻断层24,26分别设置在有源层25和光导层23、28之间,载流子阻断层的带隙比有源层25和光导层23、28的带隙宽;使有带状窗口的电流阻断层27嵌入至少一个光导层23和28中,电流阻断层27通过选择生长而形成。